| 標準編號 | 標準名稱 | 發(fā)布部門 | 發(fā)布日期 | 狀態(tài) | |
| GB/T 13387-2009 | 硅及其它電子材料晶片參考面長度測量方法 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 | |
| GB/T 13388-2009 | 硅片參考面結晶學取向X射線測試方法 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 | |
| GB/T 14139-2009 | 硅外延片 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 已作廢 | |
| GB/T 14141-2009 | 硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 | |
| GB/T 14144-2009 | 硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 | |
| GB/T 14146-2009 | 硅外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 | |
| GB/T 1551-2009 | 硅單晶電阻率測定方法 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 | |
| GB/T 1553-2009 | 硅和鍺體內少數(shù)載流子壽命測定光電導衰減法 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 | |
| GB/T 1554-2009 | 硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 | |
| GB/T 1555-2009 | 半導體單晶晶向測定方法 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 | |
| GB/T 1558-2009 | 硅中代位碳原子含量 紅外吸收測量方法 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 | |
| GB/T 24574-2009 | 硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質的光致發(fā)光測試方法 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 | |
| GB/T 24575-2009 | 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次離子質譜檢測方法 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 | |
| GB/T 24576-2009 | 高分辯率X射線衍射測量GaAs襯底生長的AlGaAs中Al成分的試驗方法 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 | |
| GB/T 24577-2009 | 熱解吸氣相色譜法測定硅片表面的有機污染物 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 | |
| GB/T 24578-2009 | 硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 已作廢 | |
| GB/T 24579-2009 | 酸浸取 原子吸收光譜法測定多晶硅表面金屬污染物 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 | |
| GB/T 24580-2009 | 重摻n型硅襯底中硼沾污的二次離子質譜檢測方法 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 | |
| GB/T 24581-2009 | 低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中III、V族雜質含量的測試方法 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 | |
| GB/T 24582-2009 | 酸浸取 電感耦合等離子質譜儀測定多晶硅表面金屬雜質 | 中華人民共和國國家質.. | 2010-06-01 | 現(xiàn)行 |
