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高分辯率X射線衍射測量GaAs襯底生長的AlGaAs中Al成分的試驗方法 現行

Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction

標準號：GB/T 24576-2009

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基本信息

標準號：GB/T 24576-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：2009-10-30
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：章安輝、黃慶濤、何秀坤
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會

標準簡介

本標準規定了用高分辨X 射線衍射測量GaAs襯底上AlGaAs外延層中Al含量的試驗方法。本方法適用于在未摻雜GaAs襯底方向上生長的AlGaAs外延層中Al含量的測定,使用本方法測量Al元素含量時,AlGaAs外延層厚度應大于300nm。

標準摘要

本標準技術內容等同采用SMEIM630306《準則:采用高分辨率X 光衍射法測量砷化鎵襯底上
AlGaAs中Al百分含量的測試方法》。本標準對SMEIM630306進行了編輯性修改。
本標準的附錄A 為資料性附錄。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所。
本標準主要起草人:章安輝、黃慶濤、何秀坤。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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