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[GB/T 13387-2009] 硅及其它電子材料晶片參考面長度測量方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準用于標稱圓形晶片邊緣平直部分長度小于等于65mm 的電學材料。本標準僅對硅片精度進行確認,預期..
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[GB/T 13388-2009] 硅片參考面結晶學取向X射線測試方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
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發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了硅外延片的產品分類、技術要求、試驗方法和檢驗規則及標志、包裝運輸、貯存等。本標準適用于在..
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[GB/T 14141-2009] 硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。本標準適用于測量直徑大于15..
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[GB/T 14144-2009] 硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅單晶中..
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[GB/T 14146-2009] 硅外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了硅外延層載流子濃度汞探針電容電壓測量方法。本標準適用于同質的硅外延層載流子濃度測量。測..
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[GB/T 1551-2009] 硅單晶電阻率測定方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本方法規定了用直排四探針法測量硅單晶電阻率的方法。本方法適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點..
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[GB/T 1553-2009] 硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了硅和鍺單晶體內少數載流子壽命的測量方法。本標準適用于非本征硅和鍺單晶體內載流子復合過程中..
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[GB/T 1554-2009] 硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了用擇優腐蝕技術檢驗硅晶體完整性的方法。本標準適用于晶向為、或、電阻率為10-3 Ω·cm..
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[GB/T 1555-2009] 半導體單晶晶向測定方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了半導體單晶晶向X 射線衍射定向和光圖定向的方法。本標準適用于測定半導體單晶材料大致平行于..
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[GB/T 1558-2009] 硅中代位碳原子含量 紅外吸收測量方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了硅中代位碳原子含量的紅外吸收測量方法。本標準適用于電阻率高于3Ω·cm 的p型硅片及電阻..
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[GB/T 24574-2009] 硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質的光致發光測試方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質的光致發光測試方法。本標準適用于低位錯單晶硅中導電性雜質硼和磷含量的..
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[GB/T 24575-2009] 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次離子質譜檢測方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了硅和外延片表面Na、Al、K 和Fe的二次離子質譜檢測方法。本標準適用于用二次離子質譜法..
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[GB/T 24576-2009] 高分辯率X射線衍射測量GaAs襯底生長的AlGaAs中Al成分的試驗方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了用高分辨X 射線衍射測量GaAs襯底上AlGaAs外延層中Al含量的試驗方法。本方法適用..
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[GB/T 24577-2009] 熱解吸氣相色譜法測定硅片表面的有機污染物[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了硅片表面的有機污染物的定性和定量方法,采用氣質聯用儀或磷選擇檢測器或者兩者同時采用。
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[GB/T 24578-2009] 硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法[已作廢]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了硅片表面金屬沾污的全反射X 光熒光光譜測試方法,本方法使用單色X 光源全反射X 光熒光光..
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[GB/T 24579-2009] 酸浸取 原子吸收光譜法測定多晶硅表面金屬污染物[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了用酸從多晶硅塊表面浸取金屬雜質,并用石墨爐原子吸收定量檢測多晶硅塊表面上的痕量金屬雜質分..
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[GB/T 24580-2009] 重摻n型硅襯底中硼沾污的二次離子質譜檢測方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了重摻n型硅襯底中硼沾污的二次離子質譜測試方法。本標準適用于二次離子質譜法(SIMS)對重..
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[GB/T 24581-2009] 低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中III、V族雜質含量的測試方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準適用于檢測硅單晶中的電活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、鋁(Al)、銻(Sb)和鎵(Ga..
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[GB/T 24582-2009] 酸浸取 電感耦合等離子質譜儀測定多晶硅表面金屬雜質[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了用酸從多晶硅塊表面浸取金屬雜質,并用電感耦合等離子質譜儀定量檢測多晶硅表面上的金屬雜質痕..
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