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硅及其它電子材料晶片參考面長度測(cè)量方法 現(xiàn)行

Test method for measuring flat length wafers of silicon and other electronic materials

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 13387-2009

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 13387-2009
發(fā)布時(shí)間:2009-10-30
實(shí)施時(shí)間:2010-06-01
首發(fā)日期:1992-02-19
出版單位:中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人:杜娟、孫燕、盧立延
出版機(jī)構(gòu):中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類: 半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類:半導(dǎo)體材料
提出單位:全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
起草單位:有研半導(dǎo)體材料股份有限公司
歸口單位:全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門:中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門:全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)用于標(biāo)稱圓形晶片邊緣平直部分長度小于等于65mm 的電學(xué)材料。本標(biāo)準(zhǔn)僅對(duì)硅片精度進(jìn)行確認(rèn),預(yù)期精度不因材料而改變。本標(biāo)準(zhǔn)適用于仲裁測(cè)量,當(dāng)規(guī)定的限度要求高于用尺子和肉眼檢測(cè)能夠獲得的精度時(shí),本標(biāo)準(zhǔn)也可用于常規(guī)驗(yàn)收測(cè)量。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMIMF6710705《硅及其他電子材料晶片參考面長度測(cè)試方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF6710705相比主要有如下變化:
---標(biāo)準(zhǔn)編寫格式按GB/T1.1要求進(jìn)行編寫;
---增加了前言內(nèi)容。
本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T13387-1992《電子材料晶片參考面長度測(cè)試方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T13387-1992相比主要有如下變化:
---細(xì)化了測(cè)量范圍的內(nèi)容,如該方法中涉及的公英制單位等;
---增加了該方法的局限性內(nèi)容;
---增加了部分術(shù)語,定義了測(cè)量中用到的偏移;
---增加了引用標(biāo)準(zhǔn);
---將原標(biāo)準(zhǔn)中的試樣改為抽樣章節(jié);
---將校準(zhǔn)和測(cè)量分為兩章分別敘述;
---精密度采用了SEMIMF6710705中多個(gè)實(shí)驗(yàn)室間的評(píng)價(jià),并附有較詳細(xì)的說明。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:有研半導(dǎo)體材料股份有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:杜娟、孫燕、盧立延。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:
---GB/T13387-1992。

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