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半導體單晶晶向測定方法 現行

Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal

標準號：GB/T 1555-2009

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基本信息

標準號：GB/T 1555-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：1979-05-26
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：楊旭、何蘭英
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：峨嵋半導體材料廠
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

標準簡介

本標準規定了半導體單晶晶向X 射線衍射定向和光圖定向的方法。本標準適用于測定半導體單晶材料大致平行于低指數原子面的表面取向。

標準摘要

本標準代替GB/T1555-1997《半導體單晶晶向測定方法》。
本標準與GB/T1555-1997相比,主要有如下變化:
---增加了術語章;
---增加了干擾因素章;
---將原標準定向推薦腐蝕工藝中硅的腐蝕時間5min改為硅的腐蝕時間3min~5min。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:峨嵋半導體材料廠。
本標準主要起草人:楊旭、何蘭英。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
---GB1555-1979、GB1556-1979、GB5254-1985、GB5255-1985、GB8759-1988;
---GB/T1555-1997。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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