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酸浸取 原子吸收光譜法測定多晶硅表面金屬污染物 現行

Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy

標準號：GB/T 24579-2009

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基本信息

標準號：GB/T 24579-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：2009-10-30
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：褚連青、王奕、魏利潔
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會

標準簡介

本標準規定了用酸從多晶硅塊表面浸取金屬雜質,并用石墨爐原子吸收定量檢測多晶硅塊表面上的痕量金屬雜質分析方法。本標準適用于堿金屬、堿土金屬和第一系列過渡元素如鈉、鋁、鐵、鉻、鎳、鋅的檢測。本標準適用于各種棒、塊、粒、鋉片形多晶或單晶硅表面金屬污染物的檢測。由于塊、片或粒形狀不規則,面積很難準確測定,根據樣品重量計算結果。

標準摘要

本標準修改采用SEMIMF1724-1104《采用酸萃取原子吸收光譜法測量多晶硅表面金屬沾污》。
本標準對SEMIMF1724-1104格式進行了相應調整。為了方便比較,在資料性附錄C 中列出了本標準章條和SEMIMF17241104章條對照一覽表。并對SEMIMF17241104條款的修改處用垂直單線標識在它們所涉及的條款的頁邊空白處。
本標準與SEMIMF17241104相比,主要技術差異如下:
---去掉了目的、關鍵詞。
---將實際測試得到的單一試驗室的精密度結果代替原標準中的精度和偏差部分,并將原標準中的精度和偏差部分作為資料性附錄B。
本標準的附錄A、附錄B和附錄C 為資料性附錄。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所。
本標準主要起草人:褚連青、王奕、魏利潔。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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