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[GB/T 4058-2009] 硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法。本標準適用于硅拋光片表面區在模擬器件氧化工藝中誘生或增強..
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[GB/T 4061-2009] 硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了以三氯氫硅和四氯化硅為原料在還原爐內用氫氣還原出的硅多晶棒的斷面夾層化學腐蝕檢驗方法。本..
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[GB/T 6616-2009] 半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了用非接觸渦流測定半導體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的方法。本標準適用于測量直徑或邊長大于25..
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[GB/T 6617-2009] 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。本標準適用于測量晶體晶向與導電類型已知的硅片的電阻率和..
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[GB/T 6618-2009] 硅片厚度和總厚度變化測試方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片和外延片(簡稱硅片)厚度和總厚度變化的分立式和掃描式測量方法..
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[GB/T 6619-2009] 硅片彎曲度測試方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了硅單晶切割片?研磨片?拋光片(以下簡稱硅片)彎曲度的接觸式測量方法?本標準適用于測量直徑..
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[GB/T 6621-2009] 硅片表面平整度測試方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了用電容位移傳感器測定硅拋光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蝕片也可參考此方法。本標準適..
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[GB/T 6624-2009] 硅拋光片表面質量目測檢驗方法[現行]
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
本標準規定了在一定光照條件下，用目測檢驗單晶拋光片（以下簡稱拋光片）表面質量的方法。本標準適用于硅拋..
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[YS/T 679-2008] 非本征半導體中少數載流子擴散長度的穩態表面光電壓測試方法[已作廢]
發布時間：2008-03-12
實施時間：2008-09-01
本標準適用于非本征單晶半導體材料樣品或相同導電類型重摻襯底上沉積已知電阻率的同質外延層中的少數載流子..
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[GB/T 14264-1993] 半導體材料術語[已作廢]
發布時間：1993-03-20
實施時間：1993-01-02
本標準規定了半導體材料及其生長工藝、加工、晶體缺陷和表面沾污等方面的主要術語和定義。本標準適用于素和..
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[GB/T 14844-1993] 半導體材料牌號表示方法[已作廢]
發布時間：1993-01-02
實施時間：1994-09-01
本標準規定了半導體多晶、單晶、晶片和外延片產品牌號的表示方法。本標準適用于編制半導體材料的牌號。
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[YS/T 23-1992] 硅外延層厚度測定 堆垛層錯尺寸法[已作廢]
發布時間：1992-03-09
實施時間：1993-01-01
本標 準 規 定了根據堆垛層錯尺寸測量硅處延層厚度的方法本標 準 適 用于在,tloo>和(110)..
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[YS/T 24-1992] 外延釘缺陷的檢驗方法[已作廢]
發布時間：1992-03-09
實施時間：1993-01-01
本標 準 規 定了外延釘缺陷的檢驗方法本標 準 適 用于任何直徑與晶向的硅外延片上高度不小于4,u ..
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