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當(dāng)前位置： 首頁(yè) > 硅外延片

硅外延片 已作廢

Silicon epitaxial wafers

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 14139-2009

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 14139-2009
發(fā)布時(shí)間：2009-10-30
實(shí)施時(shí)間：2010-06-01
首發(fā)日期：1993-02-06
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：許峰、劉培東、李慎重、諶攀
作廢日期：2020-05-01
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類：半導(dǎo)體材料
提出單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
起草單位：寧波立立電子股份有限公司
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門：中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門：中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅外延片的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法和檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝運(yùn)輸、貯存等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在Ｎ 型硅拋光片襯底上生長(zhǎng)的ｎ型外延層（Ｎ／Ｎ＋ ）和在ｐ型硅拋光片襯底上生長(zhǎng)的Ｐ型外延層（Ｐ／Ｐ＋ ）的同質(zhì)硅外延片。產(chǎn)品主要用于制作硅半導(dǎo)體器件。其他類型的硅外延片可參照使用。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T14139-1993《硅外延片》。
本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比,主要有如下變動(dòng)；
---刪除了引用標(biāo)準(zhǔn)YS/T23《硅外延層厚度測(cè)定 堆垛層錯(cuò)尺寸法》和YS/T28《硅片包裝》;
---增加了引用標(biāo)準(zhǔn)GB/T14141《硅外延層、擴(kuò)展層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定 直排四探針法》和GB/T14847《重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法》;
---修改了產(chǎn)品規(guī)格規(guī)范,去除原標(biāo)準(zhǔn)中50.8 mm、80 mm、90 mm 三個(gè)規(guī)格,增加了直徑尺寸125mm 和150mm;
---在產(chǎn)品牌號(hào)中增加襯底摻雜內(nèi)容;
---襯底摻雜元素中增加襯底摻雜元素磷(P);
---對(duì)外延層中心電阻率、徑向電阻率和外延層厚度進(jìn)行了修訂,對(duì)其允許偏差進(jìn)行加嚴(yán);
---修改了外延層厚度測(cè)量方法,對(duì)外延片表面缺陷檢測(cè)方法進(jìn)行加嚴(yán);
---修改了合格質(zhì)量水平(AQL)規(guī)定,增加了表面質(zhì)量、位錯(cuò)等檢驗(yàn)項(xiàng)目合格質(zhì)量水平規(guī)定。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位；寧波立立電子股份有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人；許峰、劉培東、李慎重、諶攀。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為；
---GB/T14139-1993。

替代情況

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