當前位置：
首頁 >
硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質的光致發光測試方法
硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質的光致發光測試方法 現行
Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
標準號：GB/T 24574-2009
基本信息
標準號：GB/T 24574-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：2009-10-30
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：李靜、何秀坤、藺嫻
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會
標準簡介
本標準規定了硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質的光致發光測試方法。本標準適用于低位錯單晶硅中導電性雜質硼和磷含量的同時測定。本標準用于檢測單晶硅中含量為1×1011at·cm-3~5×1015at·cm-3的各種電活性雜質元素。
標準摘要
|
本標準修改采用SEMIMF1389-0704《Ⅲ-Ⅴ號混雜物中對單晶體硅的光致發光分析的測試方法》。 本標準對SEMIMF1389-0704格式進行了相應調整。為了方便比較,在資料性附錄B中列出了本標準章條和SEMIMF1389-0704章條對照一覽表。并對SEMIMF13890704條款的修改處用垂直單線標識在它們所涉及的條款的頁邊空白處。 本標準與SEMIMF1389-0704相比,主要技術差異如下: ---刪除了目的、術語和定義中的討論部分、偏差和關鍵詞等章節的內容; ---刪除了SEMIMF13890704中對砷鋁含量測定的內容; ---將實際測試得到的單一試驗室的精密度結果代替原標準SEMIMF1389-0704中的精度和偏 差部分,并將原標準中的精度和偏差部分作為資料性附錄A 。 本標準的附錄A 和附錄B為資料性附錄。 本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。 本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。 本標準起草單位:信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所。 本標準主要起草人:李靜、何秀坤、藺嫻。 |
推薦檢測機構
申請入駐
暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~
推薦認證機構
申請入駐
暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~
推薦培訓機構
申請入駐
暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~
? 2018 北京寰標偉業科技發展有限公司版權所有并保留所有權利。
ICP備案證書號：京ICP備17031081號-1 客服電話：010-62050868
