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硅中代位碳原子含量 紅外吸收測量方法 現行

Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption

標準號：GB/T 1558-2009

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基本信息

標準號：GB/T 1558-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：1979-05-26
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：何秀坤、李靜、段曙光、梁洪
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所、峨嵋半導體材料廠
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

標準簡介

本標準規定了硅中代位碳原子含量的紅外吸收測量方法。本標準適用于電阻率高于3Ω·cm 的p型硅片及電阻率高于1Ω·cm 的n型硅片中代位碳原子含量的測定,對于精密度要求不高的硅片,可以測量電阻率大于0.1Ω·cm 的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于間隙位置,因而本方法不能測定總碳含量。本標準也適用于硅多晶中代位碳原子含量的測定,但其晶粒界間區的碳同樣不能測定。

標準摘要

本標準修改采用SEMIMF13910704《硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法》。
本標準與SEMIMF13910704的主要差異如下:
---本標準在結構上主要依照我國國標編制格式,與SEMIMF13910704有所不同;
---本標準未引用偏差、關鍵詞兩章內容。
本標準代替GB/T1558-1997《硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法》。
本標準與原標準相比主要有以下變化:
---對測量的碳原子含量有效范圍進行了修改,室溫下從硅中代位碳原子含量5×1015at·cm-3(0.1ppma)到碳原子的最大溶解度,77K 時檢測下限為5×1014at·cm-3(0.01ppma);
---補充了術語、干擾因素報告三章;
---在操作步驟中增加了儀器檢查內容。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準負責起草單位:信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所、峨嵋半導體材料廠。
本標準主要起草人:何秀坤、李靜、段曙光、梁洪。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
---GB/T1558-1979、GB/T1558-1997。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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