硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法 現行
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
標準號：GB/T 14141-2009
基本信息
標準號：GB/T 14141-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：1993-02-06
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：李慎重、許峰、劉培東、諶攀、馬林寶、何秀坤
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)
起草單位：寧波立立電子股份有限公司、南京國盛電子有限公司、信息產業部專用材料質量監督檢驗中心
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
標準簡介
本標準規定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。本標準適用于測量直徑大于15.9mm 的由外延、擴散、離子注入到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2μm 的薄層,方塊電阻的測量范圍為10Ω~5000Ω。該方法也可適用于更高或更低阻值方塊電阻的測量,但其測量精確度尚未評估。
標準摘要
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本標準代替GB/T14141-1993《硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法》。 本標準與GB/T14141-1993相比,主要有如下改動: ---修改了被測薄層電阻的最小直徑(由10.0 mm 改為15.9 mm)、薄層電阻阻值的測量范圍及精度; ---增加了規范性引用文件; ---增加了引入與試樣幾何形狀有關的修正因子計算薄層電阻; ---增加了干擾因素; ---刪除了三氯乙烯試劑; ---修改了薄層電阻范圍,增加了直流輸入阻抗不小于109 Ω; ---刪除了三氯乙烯漂洗; ---修改仲裁測量探針間距,由1mm 改為1.59mm; ---增加了修正因子和溫度修正系數表格。 本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)提出。 本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。 本標準起草單位:寧波立立電子股份有限公司、南京國盛電子有限公司、信息產業部專用材料質量監督檢驗中心。 本標準主要起草人:李慎重、許峰、劉培東、諶攀、馬林寶、何秀坤。 本標準所代替標準的歷次版本發布情況為: ---GB/T14141-1993。 |
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