基本信息
標準號：GB/T 14139-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：1993-02-06
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：許峰、劉培東、李慎重、諶攀
作廢日期：2020-05-01
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：寧波立立電子股份有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局
標準簡介
本標準規定了硅外延片的產品分類、技術要求、試驗方法和檢驗規則及標志、包裝運輸、貯存等。本標準適用于在Ｎ 型硅拋光片襯底上生長的ｎ型外延層（Ｎ／Ｎ＋ ）和在ｐ型硅拋光片襯底上生長的Ｐ型外延層（Ｐ／Ｐ＋ ）的同質硅外延片。產品主要用于制作硅半導體器件。其他類型的硅外延片可參照使用。
標準摘要
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本標準代替GB/T14139-1993《硅外延片》。 本標準與原標準相比,主要有如下變動； ---刪除了引用標準YS/T23《硅外延層厚度測定 堆垛層錯尺寸法》和YS/T28《硅片包裝》; ---增加了引用標準GB/T14141《硅外延層、擴展層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法》和GB/T14847《重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法》; ---修改了產品規格規范,去除原標準中50.8 mm、80 mm、90 mm 三個規格,增加了直徑尺寸125mm 和150mm; ---在產品牌號中增加襯底摻雜內容; ---襯底摻雜元素中增加襯底摻雜元素磷(P); ---對外延層中心電阻率、徑向電阻率和外延層厚度進行了修訂,對其允許偏差進行加嚴; ---修改了外延層厚度測量方法,對外延片表面缺陷檢測方法進行加嚴; ---修改了合格質量水平(AQL)規定,增加了表面質量、位錯等檢驗項目合格質量水平規定。 本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。 本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。 本標準起草單位；寧波立立電子股份有限公司。 本標準主要起草人；許峰、劉培東、李慎重、諶攀。 本標準所代替標準的歷次版本發布情況為； ---GB/T14139-1993。 |
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