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低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中III、V族雜質含量的測試方法 現行

Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

標準號：GB/T 24581-2009

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基本信息

標準號：GB/T 24581-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：2009-10-30
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：梁洪、過惠芬、吳道榮
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：四川新光硅業科技有限責任公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

標準簡介

本標準適用于檢測硅單晶中的電活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、鋁(Al)、銻(Sb)和鎵(Ga)的含量。本標準所適用的硅中每一種電活性元素雜質或摻雜劑濃度范圍為(0.01×10-9~5.0×10-9)a。

標準摘要

本標準等同采用SEMIMF16300704《低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質含量的測試方法》。
本標準與SEMIMF16300704相比,主要有如下變化:
---用實際測量到的紅外譜圖代替SEMIMF16300704標準中的圖2、圖3。
---用實驗得到的單一實驗室測試精密度代替SEMIMF16300704中給出的單一實驗室測試精密度。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:四川新光硅業科技有限責任公司。
本標準主要起草人:梁洪、過惠芬、吳道榮。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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