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硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法 現行

Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay

標準號：GB/T 1553-2009

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基本信息

標準號：GB/T 1553-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：1979-05-26
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：江莉、楊旭
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：峨嵋半導體材料廠
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

標準簡介

本標準規定了硅和鍺單晶體內少數載流子壽命的測量方法。本標準適用于非本征硅和鍺單晶體內載流子復合過程中非平衡少數載流子壽命的測量。

標準摘要

本標準代替GB/T1553-1997《硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法》。
本標準與原標準相比,主要有如下變化:
---新增加少子壽命值的測量下限范圍;
---刪除了有關斬切光的內容;
---本標準將GB/T1553-1997中第7章試劑和材料和第8章測試儀器并為第6章測量儀器;
---本標準增加了術語章和體壽命的解釋;
---本標準在干擾因素章增加了對各干擾因素影響的消除方法。
本標準的附錄A 為規范性附錄。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:峨嵋半導體材料廠。
本標準主要起草人:江莉、楊旭。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
---GB1553-1979、GB5257-1985、GB/T1553-1997。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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