酸浸取 電感耦合等離子質譜儀測定多晶硅表面金屬雜質 現行
Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry
標準號：GB/T 24582-2009
基本信息
標準號：GB/T 24582-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：2009-10-30
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：王波、過惠芬、吳道榮、梁洪、敖細平
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)
起草單位：新光硅業科技責任有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)
標準簡介
本標準規定了用酸從多晶硅塊表面浸取金屬雜質,并用電感耦合等離子質譜儀定量檢測多晶硅表面上的金屬雜質痕量分析方法。 本標準適用于堿金屬、堿土金屬和第一系列過渡元素如鈉、鉀、鈣、鐵、鎳、銅、鋅以及其他元素如鋁的檢測。本標準適用于各種棒、塊、粒、片狀多晶表面金屬污染物的檢測。由于塊、片或粒形狀不規則,面積很難準確測定,故根據樣品重量計算結果,使用的樣品重量為50g~300g,檢測限為0.01ng/mL。
標準摘要
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本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)提出并歸口。 本標準負責起草單位:新光硅業科技責任有限公司。 本標準主要起草人:王波、過惠芬、吳道榮、梁洪、敖細平。 |
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