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半導(dǎo)體單晶晶向測定方法 現(xiàn)行

Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 1555-2009

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 1555-2009
發(fā)布時間：2009-10-30
實(shí)施時間：2010-06-01
首發(fā)日期：1979-05-26
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：楊旭、何蘭英
出版機(jī)構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類：半導(dǎo)體材料
提出單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
起草單位：峨嵋半導(dǎo)體材料廠
歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
主管部門：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體單晶晶向X 射線衍射定向和光圖定向的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測定半導(dǎo)體單晶材料大致平行于低指數(shù)原子面的表面取向。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T1555-1997《半導(dǎo)體單晶晶向測定方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T1555-1997相比,主要有如下變化:
---增加了術(shù)語章;
---增加了干擾因素章;
---將原標(biāo)準(zhǔn)定向推薦腐蝕工藝中硅的腐蝕時間5min改為硅的腐蝕時間3min~5min。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:峨嵋半導(dǎo)體材料廠。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:楊旭、何蘭英。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:
---GB1555-1979、GB1556-1979、GB5254-1985、GB5255-1985、GB8759-1988;
---GB/T1555-1997。

替代情況

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引用標(biāo)準(zhǔn)

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