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硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法 現行

Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques

標準號：GB/T 1554-2009

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基本信息

標準號：GB/T 1554-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：1979-05-26
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：何蘭英、王炎、張輝堅、劉陽
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：峨嵋半導體材料廠
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

標準簡介

本標準規定了用擇優腐蝕技術檢驗硅晶體完整性的方法。本標準適用于晶向為、或、電阻率為10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位錯密度在0cm-2~105cm-2之間的硅單晶錠或硅片中原生缺陷的檢驗。

標準摘要

本標準代替GB/T1554-1995《硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法》。
本標準與GB/T1554-1995相比,主要有如下變化:
---增加了本方法也適用于硅單晶片;
---增加了術語和定義、干擾因素章;
---第4章最后一句將用肉眼和金相顯微鏡進行觀察修改為用目視法結合金相顯微鏡進行觀察;
---將原標準中表1四種常用化學拋光液配方刪除,對化學拋光液配比進行了修改,刪除了乙酸配方;并將各種試劑和材料的含量修改為等級;增加了重量比分別為50%CrO3 和10%CrO3標準溶液的配比;增加了晶體缺陷顯示常用的腐蝕劑對比表;依據SEMIMF18090704 增加了幾種國際上常用的無鉻、含鉻腐蝕溶液的配方、應用及適用性的分類對比表;
---第9章將原GB/T1554-1995中(111)面缺陷顯示中電阻率不小于0.2Ω·cm 的試樣腐蝕時間改為了10min~15min;(100)面缺陷顯示中電阻率不小于0.2Ω·cm 的試樣和電阻率小于0.2Ω·cm 的試樣腐蝕時間全部改為10min~15min;增加了(110)面缺陷顯示;增加了對重摻試樣的缺陷顯示;在缺陷觀測的測點選取中增加了米字型測量方法。
本標準的附錄A 為資料性附錄。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:峨嵋半導體材料廠。
本標準主要起草人:何蘭英、王炎、張輝堅、劉陽。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
---GB1554-1979、GB/T1554-1995。
---GB4057-1983。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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