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重摻n型硅襯底中硼沾污的二次離子質譜檢測方法 現行

Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry

標準號：GB/T 24580-2009

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基本信息

標準號：GB/T 24580-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：2009-10-30
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：馬農農、何友琴、丁麗
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：信息產業部專用材料質量監督檢驗中心?中國電子科技集團公司第四十六研究所
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

標準簡介

本標準規定了重摻n型硅襯底中硼沾污的二次離子質譜測試方法。本標準適用于二次離子質譜法(SIMS)對重摻n型硅襯底單晶體材料中痕量硼沾污(總量)的測試。1.2 本標準適用于對銻?砷?磷的摻雜濃度<0.2%(1×1020atoms/cm3)的硅材料中硼濃度的檢測。特別適用于硼為非故意摻雜的p 型雜質,且其濃度為痕量水平(<5×1014 atoms/cm3)的硅材料的測試。本標準適用于檢測硼沾污濃度大于SIMS 儀器檢測限(根據儀器的型號不同,檢測限大約在5×1012atoms/cm3~5×1013atoms/cm3)兩倍的硅材料。

標準摘要

本標準修改采用SEMIMF15281104《用二次離子質譜法測量重攙雜N 型硅襯底中的硼污染的方
法》。本標準對SEMIMF15281104格式進行了相應調整。為了方便比較,在資料性附錄B 中列出了
本標準章條和SEMIMF15281104章條對照一覽表。并對SEMIMF15281104條款的修改處用垂直
單線標識在它們所涉及的條款的頁邊空白處。
本標準與SEMIMF15281104相比,主要技術差異如下:
---去掉了目的?關鍵詞;
---將實際測試得到的單一試驗室的精密度結果代替原標準中的精度和偏差部分,并將原標準中的精度和偏差部分作為資料性附錄A 。
本標準附錄A 和附錄B為資料性附錄。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:信息產業部專用材料質量監督檢驗中心?中國電子科技集團公司第四十六研究所。
本標準主要起草人:馬農農、何友琴、丁麗。

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引用標準

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采標情況

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