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硅外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法 現行

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

標準號：GB/T 14146-2009

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基本信息

標準號：GB/T 14146-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：1993-02-06
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：馬林寶、唐有青、劉培東、李靜、金龍、呂立平
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：南京國盛電子有限公司、寧波立立電子股份有限公司、信息產業部專用材料質量監督檢驗中心
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

標準簡介

本標準規定了硅外延層載流子濃度汞探針電容電壓測量方法。本標準適用于同質的硅外延層載流子濃度測量。測量范圍為:4×1013cm-3~8×1016cm-3。本標準測試的硅外延層的厚度必須大于測試偏壓下耗盡層的深度。本標準也可適用于硅拋光片的載流子濃度測量。

標準摘要

本標準代替GB/T14146-1993《硅外延載流子濃度測定 汞探針電容電壓法》。
本標準與GB/T14146-1993相比,主要有如下變動:
---測量范圍由原1013cm-3~1018cm-3改為4×1013cm-3~8×1016cm-3,并增加了對外延層厚度的測試要求和拋光片的測試適用性;
---增加了引用標準;
---增加了干擾因素;
---試劑中氫氟酸(ρ1.15g/mL)改為氫氟酸(分析純),刪除硝酸(ρ1.4g/mL),增加雙氧水(分析純),去離子水電阻率由大于2 MΩ·cm 改為大于10 MΩ·cm;
---對測量儀器及環境,樣品處理,儀器校準,測量步驟的內容進行了全面修改;
---刪除測量結果的計算;
---增加了重復性和再現性;
---增加了附錄硅片接觸良好測試的判定指標。
本標準的附錄A 為規范性附錄。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:南京國盛電子有限公司、寧波立立電子股份有限公司、信息產業部專用材料質量監督檢驗中心。
本標準主要起草人:馬林寶、唐有青、劉培東、李靜、金龍、呂立平。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
---GB/T14146-1993。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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