国产精品久久久在线观看_亚洲免费观看视频网站_国产盗摄视频一区二区三区_久久久国产一级 - 日本在线观看一区

歡迎來到寰標網！ 客服QQ：772084082 加入會員

硅單晶電阻率測定方法 現行

Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon

標準號：GB/T 1551-2009

獲取原文 如何獲取原文？問客服 獲取原文，即可享受本標準狀態變更提醒服務！
基本信息

標準號：GB/T 1551-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：1979-05-26
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：李靜、何秀坤、張繼榮、段曙光
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

標準簡介

本方法規定了用直排四探針法測量硅單晶電阻率的方法。本方法適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點的最近距離二者均大于探針間距的4倍的硅單晶體電阻率以及測量直徑大于探針間距10倍、厚度小于探針間距4倍的硅單晶圓片的電阻率。

標準摘要

本標準修改采用SEMIMF841105《硅片電阻率測定四探針法》和SEMIMF3971106《硅棒電阻率測定兩探針法》。
本標準與SEMIMF841105和SEMIMF3971106相比,主要變化如下:
---中厚度修正系數F(犠/犛)表格范圍增加;
---按中文格式分直排四探針法、直流兩探針法進行編排。
本標準代替GB/T1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》和GB/T1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法》。
本標準與GB/T1551-1995和GB/T1552-1995相比,主要有如下變化:
---刪除了鍺單晶測定的相關內容;
---用文字描述代替了原標準GB/T1551-1995和GB/T1552-1995中的若干記錄測試數據的表格;
---修改了直排四探針法中計算公式;
---補充了干擾因素。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所。
本標準主要起草人:李靜、何秀坤、張繼榮、段曙光。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
---GB1552-1979、GB1551-1979、GB5251-1985、GB5253-1985、GB6615-1986;
---GB/T1551-1995、GB/T1552-1995。

替代情況

會員注冊/登錄后查看詳情

引用標準

會員注冊/登錄后查看詳情

本標準相關公告

會員注冊/登錄后查看詳情

采標情況

會員注冊/登錄后查看詳情

推薦檢測機構
申請入駐

暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~

推薦認證機構
申請入駐

暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~

推薦培訓機構
申請入駐

暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~