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硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法 現(xiàn)行

Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 1553-2009

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 1553-2009
發(fā)布時(shí)間：2009-10-30
實(shí)施時(shí)間：2010-06-01
首發(fā)日期：1979-05-26
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：江莉、楊旭
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)： 半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類(lèi)：半導(dǎo)體材料
提出單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
起草單位：峨嵋半導(dǎo)體材料廠
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門(mén)：中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門(mén)：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅和鍺單晶體內(nèi)少數(shù)載流子壽命的測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于非本征硅和鍺單晶體內(nèi)載流子復(fù)合過(guò)程中非平衡少數(shù)載流子壽命的測(cè)量。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T1553-1997《硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比,主要有如下變化:
---新增加少子壽命值的測(cè)量下限范圍;
---刪除了有關(guān)斬切光的內(nèi)容;
---本標(biāo)準(zhǔn)將GB/T1553-1997中第7章試劑和材料和第8章測(cè)試儀器并為第6章測(cè)量?jī)x器;
---本標(biāo)準(zhǔn)增加了術(shù)語(yǔ)章和體壽命的解釋;
---本標(biāo)準(zhǔn)在干擾因素章增加了對(duì)各干擾因素影響的消除方法。
本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A 為規(guī)范性附錄。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:峨嵋半導(dǎo)體材料廠。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:江莉、楊旭。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:
---GB1553-1979、GB5257-1985、GB/T1553-1997。

替代情況

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