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酸浸取 原子吸收光譜法測定多晶硅表面金屬污染物 現(xiàn)行

Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 24579-2009

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 24579-2009
發(fā)布時(shí)間：2009-10-30
實(shí)施時(shí)間：2010-06-01
首發(fā)日期：2009-10-30
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：褚連青、王奕、魏利潔
出版機(jī)構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類：半導(dǎo)體材料
提出單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門：國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用酸從多晶硅塊表面浸取金屬雜質(zhì),并用石墨爐原子吸收定量檢測多晶硅塊表面上的痕量金屬雜質(zhì)分析方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于堿金屬、堿土金屬和第一系列過渡元素如鈉、鋁、鐵、鉻、鎳、鋅的檢測。本標(biāo)準(zhǔn)適用于各種棒、塊、粒、鋉片形多晶或單晶硅表面金屬污染物的檢測。由于塊、片或粒形狀不規(guī)則,面積很難準(zhǔn)確測定,根據(jù)樣品重量計(jì)算結(jié)果。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMIMF1724-1104《采用酸萃取原子吸收光譜法測量多晶硅表面金屬沾污》。
本標(biāo)準(zhǔn)對SEMIMF1724-1104格式進(jìn)行了相應(yīng)調(diào)整。為了方便比較,在資料性附錄C 中列出了本標(biāo)準(zhǔn)章條和SEMIMF17241104章條對照一覽表。并對SEMIMF17241104條款的修改處用垂直單線標(biāo)識在它們所涉及的條款的頁邊空白處。
本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF17241104相比,主要技術(shù)差異如下:
---去掉了目的、關(guān)鍵詞。
---將實(shí)際測試得到的單一試驗(yàn)室的精密度結(jié)果代替原標(biāo)準(zhǔn)中的精度和偏差部分,并將原標(biāo)準(zhǔn)中的精度和偏差部分作為資料性附錄B。
本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A、附錄B和附錄C 為資料性附錄。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:褚連青、王奕、魏利潔。

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