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硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法 已作廢

Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy

標準號：GB/T 24578-2009

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基本信息

標準號：GB/T 24578-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：2009-10-30
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：孫燕、李俊峰、樓春蘭、盧立延、張靜、翟富義
作廢日期：2017-01-01
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：有研半導體材料股份有限公司、萬向硅峰電子有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

標準簡介

本標準規定了硅片表面金屬沾污的全反射X 光熒光光譜測試方法,本方法使用單色X 光源全反射X 光熒光光譜的方法定量測定硅單晶拋光襯底表面層的元素面密度。本標準適用于N 型和P型硅單晶拋光片、外延片等鏡面拋光的硅片,尤其適用于清洗后硅片自然氧化層,或經化學方法生長的氧化層中沾污元素的面密度測定。

標準摘要

本標準的附錄A 為規范性附錄,附錄B為資料性附錄。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:有研半導體材料股份有限公司、萬向硅峰電子有限公司。
本標準主要起草人:孫燕、李俊峰、樓春蘭、盧立延、張靜、翟富義。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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