硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次離子質譜檢測方法 現行
Test method for measuring surface sodium,aluminum,potassium,and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry
標準號：GB/T 24575-2009
基本信息
標準號：GB/T 24575-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：2009-10-30
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：何友琴、馬農農、丁麗
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會
標準簡介
本標準規定了硅和外延片表面Na、Al、K 和Fe的二次離子質譜檢測方法。本標準適用于用二次離子質譜法(SIMS)檢測鏡面拋光單晶硅片和外延片表面的Na、Al、K 和Fe每種金屬總量。本標準測試的是每種金屬的總量,因此該方法與各金屬的化學和電學特性無關。本標準適用于所有摻雜種類和摻雜濃度的硅片。本標準特別適用于位于晶片表面約5nm 深度內的表面金屬沾污的測試。本標準適用于面密度范圍在(109~1014)atoms/cm2 的Na、Al、K 和Fe的測試。本方法的檢測限取決于空白值或計數率極限,因儀器的不同而不同。
標準摘要
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本標準修改采用SEMIMF1617-0304《二次離子質譜法測定硅和硅外延襯底表面上鈉、鋁和鉀》。 本標準對SEMIMF1617-0304格式進行了相應調整。為了方便比較,在資料性附錄B中列出了本標準章條和SEMIMF1617-0304章條對照一覽表。并對SEMI16170304條款的修改處用垂直單線標識在 它們所涉及的條款的頁邊空白處。 本標準與SEMIMF1617-0304相比,主要技術差異如下: ---去掉了目的、關鍵詞。 ---將實際測試得到的單一試驗室的精密度結果代替原標準中的精度和偏差部分,并將原標準中的精度和偏差部分作為資料性附錄A。 本標準的附錄A 和附錄B為資料性附錄。 本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。 本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。 本標準起草單位:信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所。 本標準主要起草人:何友琴、馬農農、丁麗。 |
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