国产精品久久久在线观看_亚洲免费观看视频网站_国产盗摄视频一区二区三区_久久久国产一级 - 日本在线观看一区

歡迎來到寰標網！ 客服QQ：772084082 加入會員

硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法 現行

Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon

標準號：GB/T 14144-2009

獲取原文 如何獲取原文？問客服 獲取原文，即可享受本標準狀態變更提醒服務！
基本信息

標準號：GB/T 14144-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：1993-02-06
出版單位：GB/T 14144-1993查看詳情>
起草人：楊旭、江莉
出版機構：GB/T 14144-1993
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：峨嵋半導體材料廠
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

標準簡介

本標準適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅單晶中間隙氧含量的測量。

標準摘要

本標準修改采用SEMIMF11881105《用紅外吸收法測量硅中間隙氧原子含量的標準方法》。
本標準與SEMIMF11881105相比,主要有如下不同:
---增加了測量點選取方案;
---標準編寫按GB/T1.1格式,部分SEMI標準中的章節進行了合并和整理。
本標準代替GB/T14144-1993《硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法》。
本標準與原標準相比,主要有如下變化:
---氧含量測量范圍進行了修訂;
---增加了測量儀器、術語和干擾因素章節;
---增加了采用經認證的硅中氧含量標準物質對光譜儀進行校準的內容;
---將原標準中本標準適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm 的硅晶體改為本標準適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅單晶;
---樣品厚度范圍修改為0.04cm~0.4cm。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:峨嵋半導體材料廠。
本標準主要起草人:楊旭、江莉。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
---GB/T14144-1993。

替代情況

會員注冊/登錄后查看詳情

引用標準

會員注冊/登錄后查看詳情

本標準相關公告

會員注冊/登錄后查看詳情

采標情況

會員注冊/登錄后查看詳情

推薦檢測機構
申請入駐

暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~

推薦認證機構
申請入駐

暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~

推薦培訓機構
申請入駐

暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~