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熱解吸氣相色譜法測定硅片表面的有機污染物 現(xiàn)行

Test methods for analyzing organic contaminants on silicon wafer surfaces by thermal desorption gas chromatography

標準號：GB/T 24577-2009

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基本信息

標準號：GB/T 24577-2009
發(fā)布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發(fā)日期：2009-10-30
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：王奕、褚連青、李靜
出版機構(gòu)：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會
起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會

標準簡介

本標準規(guī)定了硅片表面的有機污染物的定性和定量方法,采用氣質(zhì)聯(lián)用儀或磷選擇檢測器或者兩者同時采用。

標準摘要

本標準修改采用SEMIMF19821103《熱解吸附氣相色譜法評估硅片表面有機污染物的方法》。
本標準對SEMIMF19821103格式進行了相應調(diào)整。為了方便比較,在資料性附錄B中列出了本標準章條和SEMIMF19821103章條對照一覽表。并對SEMIMF19821103條款的修改處用垂直單線標識在它們所涉及的條款的頁邊空白處。
本標準與SEMIMF13890704相比,主要技術(shù)差異如下:
---去掉了目的、關(guān)鍵詞;
---將實際測試得到的單一試驗室的精密度結(jié)果代替原標準中的精度和偏差部分,并將原標準中
的精度和偏差部分作為資料性附錄A。
本標準的附錄A、附錄B為資料性附錄。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。
本標準起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所。
本標準主要起草人:王奕、褚連青、李靜。

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采標情況

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