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硅及其它電子材料晶片參考面長度測量方法 現行

Test method for measuring flat length wafers of silicon and other electronic materials

標準號：GB/T 13387-2009

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基本信息

標準號：GB/T 13387-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：1992-02-19
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：杜娟、孫燕、盧立延
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：有研半導體材料股份有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

標準簡介

本標準用于標稱圓形晶片邊緣平直部分長度小于等于65mm 的電學材料。本標準僅對硅片精度進行確認,預期精度不因材料而改變。本標準適用于仲裁測量,當規定的限度要求高于用尺子和肉眼檢測能夠獲得的精度時,本標準也可用于常規驗收測量。

標準摘要

本標準修改采用SEMIMF6710705《硅及其他電子材料晶片參考面長度測試方法》。
本標準與SEMIMF6710705相比主要有如下變化:
---標準編寫格式按GB/T1.1要求進行編寫;
---增加了前言內容。
本標準代替GB/T13387-1992《電子材料晶片參考面長度測試方法》。
本標準與GB/T13387-1992相比主要有如下變化:
---細化了測量范圍的內容,如該方法中涉及的公英制單位等;
---增加了該方法的局限性內容;
---增加了部分術語,定義了測量中用到的偏移;
---增加了引用標準;
---將原標準中的試樣改為抽樣章節;
---將校準和測量分為兩章分別敘述;
---精密度采用了SEMIMF6710705中多個實驗室間的評價,并附有較詳細的說明。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:有研半導體材料股份有限公司。
本標準主要起草人:杜娟、孫燕、盧立延。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
---GB/T13387-1992。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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