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GB/T 15879.4-2019 半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化 第4部分:半導(dǎo)體器件封裝外形的分類和編碼體系 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.. 2019-11-28 現(xiàn)行
GB/T 35010.1-2018 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第1部分:采購(gòu)和使用要求 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2018-08-01 現(xiàn)行
GB/T 35010.3-2018 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第3部分:操作、包裝和貯存指南 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2018-08-01 現(xiàn)行
GB/T 35010.4-2018 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第4部分:芯片使用者和供應(yīng)商要求 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2018-08-01 現(xiàn)行
GB/T 35010.5-2018 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第5部分:電學(xué)仿真要求 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2018-08-01 現(xiàn)行
GB/T 35010.6-2018 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第6部分:熱仿真要求 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2018-08-01 現(xiàn)行
GB/T 35010.7-2018 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第7部分:數(shù)據(jù)交換的XML格式 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2018-08-01 現(xiàn)行
GB/T 35010.8-2018 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第8部分:數(shù)據(jù)交換的EXPRESS格式 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2018-08-01 現(xiàn)行
GB/T 33922-2017 MEMS壓阻式壓力敏感芯片性能的圓片級(jí)試驗(yàn)方法 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2018-02-01 現(xiàn)行
GB/T 33929-2017 MEMS高g值加速度傳感器性能試驗(yàn)方法 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2018-02-01 現(xiàn)行
GB/T 32814-2016 硅基MEMS制造技術(shù) 基于SOI硅片的MEMS工藝規(guī)范 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2017-03-01 現(xiàn)行
GB/T 32815-2016 硅基MEMS制造技術(shù) 體硅壓阻加工工藝規(guī)范 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2017-03-01 現(xiàn)行
GB/T 32816-2016 硅基MEMS制造技術(shù) 以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成規(guī)范 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2017-03-01 現(xiàn)行
GB/T 32817-2016 半導(dǎo)體器件 微機(jī)電器件 MEMS總規(guī)范 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2017-03-01 現(xiàn)行
GB/T 20296-2012 集成電路記憶法與符號(hào) 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2013-07-01 現(xiàn)行
GB/T 28274-2012 硅基MEMS制造技術(shù) 版圖設(shè)計(jì)基本規(guī)則 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2012-12-01 現(xiàn)行
GB/T 28275-2012 硅基MEMS制造技術(shù) 氫氧化鉀腐蝕工藝規(guī)范 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2012-12-01 現(xiàn)行
GB/T 28276-2012 硅基MEMS制造技術(shù) 體硅溶片工藝規(guī)范 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2012-12-01 現(xiàn)行
GB/T 28277-2012 硅基MEMS制造技術(shù) 微鍵合區(qū)剪切和拉壓強(qiáng)度檢測(cè)方法 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2012-12-01 現(xiàn)行
GB/T 26111-2010 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 術(shù)語(yǔ) 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì).. 2011-10-01 現(xiàn)行
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