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[GB/T 15879.4-2019] 半導(dǎo)體器件的機械標準化 第4部分：半導(dǎo)體器件封裝外形的分類和編碼體系[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2019-08-30 實施時間：2019-12-01

GB/T 15879的本部分規(guī)定了半導(dǎo)體器件的封裝外形分類和命名方法，以及為半導(dǎo)體器件封裝生成通用描..

[GB/T 35010.1-2018] 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第1部分：采購和使用要求[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2018-03-15 實施時間：2018-08-01

本部分用于指導(dǎo)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)、供應(yīng)和使用，半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品。 本部分定義了此類芯片產(chǎn)品所需數(shù)據(jù)的..

[GB/T 35010.3-2018] 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第3部分：操作、包裝和貯存指南[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2018-03-15 實施時間：2018-08-01

本部分給出了半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品操作、包裝和貯存過程中的一般要求。 本部分適用于指導(dǎo)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品（以下簡..

[GB/T 35010.4-2018] 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第4部分：芯片使用者和供應(yīng)商要求[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2018-03-15 實施時間：2018-08-01

本部分用于指導(dǎo)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)、供應(yīng)和使用，半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品包括： 晶圓； 單個裸芯片； 帶有互..

[GB/T 35010.5-2018] 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第5部分：電學(xué)仿真要求[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2018-03-15 實施時間：2018-08-01

本部分用于指導(dǎo)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)、供應(yīng)和使用。 本部分規(guī)定了所需的電仿真信息，目的在于促進電子數(shù)據(jù)..

[GB/T 35010.6-2018] 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第6部分：熱仿真要求[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2018-03-15 實施時間：2018-08-01

本部分用于指導(dǎo)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)、供應(yīng)和使用，半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品包括： 晶圓； 單個裸芯片； 帶有互..

[GB/T 35010.7-2018] 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第7部分：數(shù)據(jù)交換的XML格式[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2018-03-15 實施時間：2018-08-01

本標準用于指導(dǎo)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)、供應(yīng)和使用。其中半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品包括： 晶圓； 單個裸芯片； 　 ..

[GB/T 35010.8-2018] 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第8部分：數(shù)據(jù)交換的EXPRESS格式[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2018-03-15 實施時間：2018-08-01

本部分用于指導(dǎo)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)、供應(yīng)和使用。其中半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品包括： 1）晶圓， 2） 單個裸芯..

[GB/T 33922-2017] MEMS壓阻式壓力敏感芯片性能的圓片級試驗方法[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2017-07-12 實施時間：2018-02-01

本標準規(guī)定了MEMS壓阻式壓力敏感芯片（簡稱壓力敏感芯片）的術(shù)語和定義、試驗條件、試驗的一般規(guī)定、試..

[GB/T 33929-2017] MEMS高g值加速度傳感器性能試驗方法[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2017-07-12 實施時間：2018-02-01

本標準規(guī)定了MEMS高g值加速度傳感器的電氣性能和基本性能的術(shù)語和定義、試驗條件、試驗的一般規(guī)定、試..

[GB/T 32814-2016] 硅基MEMS制造技術(shù) 基于SOI硅片的MEMS工藝規(guī)范[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2016-08-29 實施時間：2017-03-01

本標準規(guī)定了采用SOI硅片進行MEMS器件加工時應(yīng)遵循的工藝要求和質(zhì)量檢驗要求。本標準適用于硅基ME..

[GB/T 32815-2016] 硅基MEMS制造技術(shù) 體硅壓阻加工工藝規(guī)范[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2016-08-29 實施時間：2017-03-01

本標準規(guī)定了采用體硅壓阻工藝進行MEMS器件加工時應(yīng)遵循的工藝要求和質(zhì)量檢驗要求。 本標準適用于硅..

[GB/T 32816-2016] 硅基MEMS制造技術(shù) 以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成規(guī)范[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2016-08-29 實施時間：2017-03-01

本標準規(guī)定了采用以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成進行MEMS器件加工時應(yīng)遵循的工藝要求和質(zhì)量檢驗要求。..

[GB/T 32817-2016] 半導(dǎo)體器件 微機電器件 MEMS總規(guī)范[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2016-08-29 實施時間：2017-03-01

本標準描述了用半導(dǎo)體制造的微機電系統(tǒng)（MEMS）的總規(guī)范，規(guī)定了用于IECQ-CECC體系質(zhì)量評定的..

[GB/T 20296-2012] 集成電路記憶法與符號[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2012-12-31 實施時間：2013-07-01

本標準規(guī)定了使用器件的符號及記憶法宜與限定符號一致。預(yù)計達到兩個目的,即:———對白盒子符號,給出標..

[GB/T 28274-2012] 硅基MEMS制造技術(shù) 版圖設(shè)計基本規(guī)則[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2012-05-11 實施時間：2012-12-01

本標準規(guī)定了微結(jié)構(gòu)加工時,光刻版圖設(shè)計中圖形設(shè)計應(yīng)遵循的基本規(guī)則。本標準適用于采用接觸式單/雙面光刻..

[GB/T 28275-2012] 硅基MEMS制造技術(shù) 氫氧化鉀腐蝕工藝規(guī)范[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2012-05-11 實施時間：2012-12-01

本標準規(guī)定了采用氫氧化鉀腐蝕工藝進行MEMS器件加工時應(yīng)遵循的工藝要求。本標準適用于氫氧化鉀腐蝕工藝..

[GB/T 28276-2012] 硅基MEMS制造技術(shù) 體硅溶片工藝規(guī)范[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2012-05-11 實施時間：2012-12-01

本標準規(guī)定了采用體硅溶片加工工藝進行MEMS器件加工時應(yīng)遵循的工藝要求和工藝評價規(guī)范。本標準適用于體..

[GB/T 28277-2012] 硅基MEMS制造技術(shù) 微鍵合區(qū)剪切和拉壓強度檢測方法[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2012-05-11 實施時間：2012-12-01

本標準規(guī)定了硅基MEMS加工過程中所涉及的微小鍵合區(qū)域鍵合強度檢測的要求和試驗方法。本標準適用于采用..

[GB/T 26111-2010] 微機電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)　術(shù)語[現(xiàn)行]

發(fā)布時間：2011-01-10 實施時間：2011-10-01

本標準規(guī)定了微機電系統(tǒng)領(lǐng)域所涉及的材料、設(shè)計、加工、封裝、測量以及器件等方面的通用術(shù)語和定義。本 標..
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