當前位置:
首頁 >
MEMS壓阻式壓力敏感芯片性能的圓片級試驗方法

Wafer level test methods for MEMS piezoresistive pressure-sensitive die performances
標準號:GB/T 33922-2017
基本信息
標準號:GB/T 33922-2017
發布時間:2017-07-12
實施時間:2018-02-01
首發日期:
出版單位:中國標準出版社查看詳情>
起草人:張威、程紅兵、陳得民、李海斌、崔波、石云波、朱悅
出版機構:中國標準出版社
標準分類: 微電路綜合
ICS分類:集成電路、微電子學
提出單位:全國微機電技術標準化技術委員會(SAC/TC 336)
起草單位:北京大學、中機生產力促進中心、北京必創科技股份有限公司、中國電子科技集團公司第十三研究所、中北大學
歸口單位:全國微機電技術標準化技術委員會(SAC/TC 336)
發布部門:中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門:國家標準化管理委員會
標準簡介
本標準規定了MEMS壓阻式壓力敏感芯片(簡稱壓力敏感芯片)的術語和定義、試驗條件、試驗的一般規定、試驗內容和方法。 本標準適用于閉環和開環MEMS壓阻式壓力敏感芯片性能的圓片級試驗。
推薦檢測機構
申請入駐
暫未檢測到相關機構,邀您申請入駐~
推薦認證機構
申請入駐
暫未檢測到相關機構,邀您申請入駐~
推薦培訓機構
申請入駐
暫未檢測到相關機構,邀您申請入駐~