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硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法

Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion
標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 4061-2009
基本信息
標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 4061-2009
發(fā)布時(shí)間:2009-10-30
實(shí)施時(shí)間:2010-06-01
首發(fā)日期:1983-12-20
出版單位:中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人:袁金滿
出版機(jī)構(gòu):中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類: 半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類:半導(dǎo)體材料
提出單位:全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
起草單位:洛陽(yáng)中硅高科技有限公司
歸口單位:全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門:中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門:全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了以三氯氫硅和四氯化硅為原料在還原爐內(nèi)用氫氣還原出的硅多晶棒的斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于斷面夾層的檢驗(yàn)適用于以三氯氫硅和四氯化硅為原料,以細(xì)硅芯為發(fā)熱體,在還原爐內(nèi)用氫氣還原沉積生長(zhǎng)出來(lái)的硅多晶棒。
標(biāo)準(zhǔn)摘要
本標(biāo)準(zhǔn)代替GB4061-1983《硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法》。 本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比,主要有如下改動(dòng): ---增加了術(shù)語(yǔ)、試劑與器材; ---增加了檢驗(yàn)報(bào)告內(nèi)容; ---對(duì)試樣尺寸的切取方向和試樣處理內(nèi)容增加了要求。 本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。 本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。 本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:洛陽(yáng)中硅高科技有限公司。 本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:袁金滿。 本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為: ---GB4061-1983。 |
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