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硅片電阻率測定 擴展電阻探針法 現行

Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

標準號：GB/T 6617-2009

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基本信息

標準號：GB/T 6617-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：1986-07-26
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：馬林寶、駱紅、劉培東、譚衛東、呂立平等
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：南京國盛電子有限公司、寧波立立電子股份有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

標準簡介

本標準規定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。本標準適用于測量晶體晶向與導電類型已知的硅片的電阻率和測量襯底同型或反型的硅片外延層的電阻率,測量范圍:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。

標準摘要

本標準代替GB/T6617-1995《硅片電阻率測定 擴展電阻探針法》。
本標準與GB/T6617-1995相比,主要有如下變化:
---引用標準中刪去硅外延層和擴散層厚度測定磨角染色法;
---方法原理中刪去單探針和三探針的原理圖并增加了擴展電阻原理公式(1)及其三個假定條件;
---增加了干擾因素;
---測量儀器和環境增加了自動測量儀器的范圍和精度;
---對原測量程序進行全面修改;
---刪去測量結果計算。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:南京國盛電子有限公司、寧波立立電子股份有限公司。
本標準主要起草人:馬林寶、駱紅、劉培東、譚衛東、呂立平等。
本標準代替標準的歷次版本發布情況為:
---GB6617-1986、GB/T6617-1995。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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