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硅片彎曲度測(cè)試方法 現(xiàn)行

Test methods for bow of silicon wafers

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 6619-2009

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 6619-2009
發(fā)布時(shí)間：2009-10-30
實(shí)施時(shí)間：2010-06-01
首發(fā)日期：1985-06-17
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：劉玉芹、蔣建國(guó)、馮校亮、張靜雯
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類：半導(dǎo)體材料
提出單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)
起草單位：洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門：中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶切割片?研磨片?拋光片(以下簡(jiǎn)稱硅片)彎曲度的接觸式測(cè)量方法?本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑不小于25mm,厚度為不小于180μm,直徑和厚度比值不大于250的圓形硅片的彎曲度?本測(cè)試方法的目的是用于來料驗(yàn)收和過程控制?本標(biāo)準(zhǔn)也適用于測(cè)量其他半導(dǎo)體圓片彎曲度?

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMIMF5340706《硅片彎曲度測(cè)試方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF5340706相比,主要變化如下:
---本標(biāo)準(zhǔn)接觸式測(cè)量方法格式按GB/T1.1格式編排;
---本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)我國(guó)實(shí)際生產(chǎn)情況增加了非接觸式測(cè)量方法。
本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T6619-1995《硅片彎曲度測(cè)試方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T6619-1995相比,主要有如下變動(dòng):
---擴(kuò)大了可測(cè)量硅片范圍為直徑不小于25mm,厚度為不小于180μm,直徑和厚度比值不大于
250的圓形硅片;
---增加了引用文件、術(shù)語(yǔ)、意義用途、測(cè)量環(huán)境條件和干擾因素等章節(jié);
---修改了儀器校正的內(nèi)容。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:劉玉芹、蔣建國(guó)、馮校亮、張靜雯。
本標(biāo)準(zhǔn)所替代標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:
---GB6619-1986、GB/T6619-1995。

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