国产精品久久久在线观看_亚洲免费观看视频网站_国产盗摄视频一区二区三区_久久久国产一级 - 日本在线观看一区

歡迎來到寰標網！ 客服QQ：772084082 加入會員

半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法 現行

Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge

標準號：GB/T 6616-2009

獲取原文 如何獲取原文？問客服 獲取原文，即可享受本標準狀態變更提醒服務！
基本信息

標準號：GB/T 6616-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：1986-07-26
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：樓春蘭、朱興萍、方強、汪新平、戴文仙
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：萬向硅峰電子股份有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

標準簡介

本標準規定了用非接觸渦流測定半導體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的方法。本標準適用于測量直徑或邊長大于25mm、厚度為0.1mm~1mm 的硅單晶切割片、研磨片和拋光片的電阻率及硅薄膜的薄層電阻。測量薄膜薄層電阻時,襯底的有效薄層電阻至少應為薄膜薄層電阻的1000倍。

標準摘要

本標準修改采用了SEMIMF6731105《用非接觸渦流法測定半導體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的
方法》。
本標準與SEMIMF6731105相比主要變化如下:
---本標準范圍中只包括硅半導體材料,去掉了范圍中對于其他半導體晶片的適用對象;
---本標準未采用SEMIMF6731105中局部范圍測量的方法Ⅱ;
---未采用SEMI標準中關鍵詞章節以適合GB/T1.1的要求。
本標準代替GB/T6616-1995《半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定 非接觸渦流法》。
本標準與GB/T6616-1995相比,主要有如下變化:
---調整了本標準測量直徑或邊長范圍為大于25mm;
---增加了引用標準;
---修改了第3章中的公式
---修改了第4章中參考片電阻率的值與表1指定值之偏差為小于±25%;
---增加了干擾因素;
---修改了第6章中測試環境溫度為23℃±1°C;
---規定了測試環境清潔度不低于10000級;儀器預熱時間為20min;
---第7章中采用了SEMIMF6731105標準中相關的精度和偏差。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準負責起草單位:萬向硅峰電子股份有限公司。
本標準主要起草人:樓春蘭、朱興萍、方強、汪新平、戴文仙。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
---GB/T6616-1995。

替代情況

會員注冊/登錄后查看詳情

引用標準

會員注冊/登錄后查看詳情

本標準相關公告

會員注冊/登錄后查看詳情

采標情況

會員注冊/登錄后查看詳情

推薦檢測機構
申請入駐

暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~

推薦認證機構
申請入駐

暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~

推薦培訓機構
申請入駐

暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~