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[GB/T 37385-2019] 硅中氯離子含量的測定 離子色譜法[現行]
發布時間：2019-03-25
實施時間：2020-02-01
本標準規定了硅中氯離子含量的離子色譜測定方法。本標準適用于測定棒狀、塊狀、顆粒狀和片狀硅中氯離子含量..
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[GB/T 35306-2017] 硅單晶中碳、氧含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法[現行]
發布時間：2017-12-29
實施時間：2018-07-01
本標準規定了低溫傅立葉變換紅外光譜法測定硅單晶中代位碳、間隙氧雜質含量的方法。 本標準適用于室溫電阻..
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[GB/T 35309-2017] 用區熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的規程[現行]
發布時間：2017-12-29
實施時間：2018-07-01
本標準規定了用區熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的代位碳原子濃度、施主雜質濃度和受主雜質濃度的方法。..
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[GB/T 17170-2015] 半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測試方法[現行]
發布時間：2015-12-10
實施時間：2016-07-01
本標準規定了半絕緣砷化鎵單晶深施主 EL2濃度的紅外吸收測試方法。本標準適用于電阻率大于106 Ω·..
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[GB/T 19199-2015] 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法[現行]
發布時間：2015-12-10
實施時間：2016-07-01
本標準規定了半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法。本標準適用于電阻率大于106Ω·cm 的非摻..
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[GB/T 24578-2015] 硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法[現行]
發布時間：2015-12-10
實施時間：2017-01-01
1.1 本標準規定了使用全反射X光熒光光譜定量測定硅拋光襯底表面層的元素面密度的方法。本標準適用于硅..
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[GB/T 32277-2015] 硅的儀器中子活化分析測試方法[現行]
發布時間：2015-12-10
實施時間：2017-01-01
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[GB/T 32281-2015] 太陽能級硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的測定 二次離子質譜法[現行]
發布時間：2015-12-10
實施時間：2017-01-01
本標準規定了太陽能級硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素體含量的二次離子質譜（SIMS）檢測方法。?本標準..
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[YS/T 1059-2015] 硅外延用三氯氫硅中總碳的測定 氣相色譜法[現行]
發布時間：2015-04-30
實施時間：2015-10-01
本標準規定了硅外延用三氯氫硅中總碳含量的氣相色譜測定方法。本標準適用于硅外延用三氯氫硅中總碳含量的測..
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[YS/T 1060-2015] 硅外延用三氯氫硅中其他氯硅烷含量的測定 氣相色譜法[現行]
發布時間：2015-04-30
實施時間：2015-10-01
本標準規定了硅外延用三氯氫硅中其他氯硅烷（包括二氯二氫硅、四氯化硅）含量的氣相色譜測定方法。本標準適..
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[YS/T 980-2014] 高純三氧化二鎵雜質含量的測定 電感耦合等離子體質譜法[現行]
發布時間：2014-10-14
實施時間：2015-04-01
本標準規定了高純三氧化二鎵中雜質元素含量的測定方法。 本標準適用于高純三氧化二鎵中鈉、鎂、鈣、鈦、釩..
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[YS/T 981.1-2014] 高純銦化學分析方法 鎂、鋁、硅、硫、鐵、鎳、銅、鋅、砷、銀、鎘、錫、鉈、鉛的測定 高質量分辨率輝光放電質譜法[現行]
發布時間：2014-10-14
實施時間：2015-04-01
本部分規定了用高質量分辨率輝光放電質譜法測定99.999%以上高純銦中鎂、鋁、硅、硫、鐵、鎳、銅、鋅..
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[YS/T 34.1-2011] 高純砷化學分析方法 電感耦合等離子體質譜法（ICP-MS）測定高純砷中雜質含量[現行]
發布時間：2011-12-20
實施時間：2012-07-01
本標準規定了高純砷中金屬雜質含量的測定方法，采用電感耦合等離子質譜法測定砷中鎂、鉻、鎳、銅、鋅、銀、..
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[YS/T 34.2-2011] 高純砷化學分析方法 極譜法測定硒量[現行]
發布時間：2011-12-20
實施時間：2012-07-01
本標準規定了高純砷中硒含量的測定方法。本標準適用于砷(99.999%)中硒含量的測定。測定范圍: 0..
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[YS/T 34.3-2011] 高純砷化學分析方法 極譜法測定硫量[現行]
發布時間：2011-12-20
實施時間：2012-07-01
本標準規定了高純砷中硫含量的測定方法。本標準適用于砷(99.999%)中硫含量的測定。測定范圍: 0..
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[GB/T 26067-2010] 硅片切口尺寸測試方法[現行]
發布時間：2011-01-10
實施時間：2011-10-01
本標準定性的提供了判定硅片基準切口是否滿足標準限度要求的非破壞性測試方法。本方法的測試原理同樣適用于..
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[GB/T 26070-2010] 化合物半導體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法[現行]
發布時間：2011-01-10
實施時間：2011-10-01
本標準規定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體單晶拋光片亞表面損傷的測試方法。本標準適用于GaAs、InP(GaP..
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[GB/T 26074-2010] 鍺單晶電阻率直流四探針測量方法[現行]
發布時間：2011-01-10
實施時間：2011-10-01
本標準規定了用直流四探針法測量鍺單晶電阻率的方法。本標準適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點..
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[YS/T 226.9-2009] 硒化學分析方法 第9部分：鐵量的測定 火焰原子吸收光譜法[現行]
發布時間：2009-12-04
實施時間：2010-06-01
本部分規定了硒中鐵量的測定方法。本部分適用于硒中鐵量的測定。測定范圍：0.0005%～0.06%。
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[YS/T 226.1-2009] 硒化學分析方法 第1部分：鉍量的測定 氫化物發生-原子熒光光譜法[現行]
發布時間：2009-12-04
實施時間：2010-06-01
本部分規定了硒中鉍量的測定方法。本部分適用于硒中鉍量的測定。測定范圍：0.0002%～0.010%。
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