化合物半導體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法 現行
Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method
標準號：GB/T 26070-2010
基本信息
標準號：GB/T 26070-2010
發布時間：2011-01-10
實施時間：2011-10-01
首發日期：2011-01-10
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：陳涌海、趙有文、提劉旺、王元立
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬及半導體材料分析方法
ICS分類：金屬材料的其他試驗方法
起草單位：中國科學院半導體研究所
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)
標準簡介
本標準規定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體單晶拋光片亞表面損傷的測試方法。本標準適用于GaAs、InP(GaP、GaSb可參照進行)等化合物半導體單晶拋光片亞表面損傷的測量。
標準摘要
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本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)歸口。 本標準由中國科學院半導體研究所負責起草。 本標準主要起草人:陳涌海、趙有文、提劉旺、王元立。 |
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