硅單晶中碳、氧含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法 現行
Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry
標準號：GB/T 35306-2017
基本信息
標準號：GB/T 35306-2017
發布時間：2017-12-29
實施時間：2018-07-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：張云暉、韓小月、毛智慧、趙建為、劉曉霞、王桃霞、田洪先、劉明軍、銀波、劉國霞、蔡延國、秦榕、童孟、錢津旺、楊紅燕
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬及半導體材料分析方法
ICS分類：金屬材料試驗
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)
起草單位：昆明冶研新材料股份有限公司、江蘇中能硅業科技發展有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、新特能源股份有限公司、亞洲硅業(青海)有限公司、青海黃河上游水電開發有限責任公司新能源分公司、陜西天宏硅材料有限責任公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會
標準簡介
本標準規定了低溫傅立葉變換紅外光譜法測定硅單晶中代位碳、間隙氧雜質含量的方法。 本標準適用于室溫電阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅單晶和室溫電阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅單晶中代位碳、間隙氧雜質含量的測定。
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