太陽能級硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的測定 二次離子質譜法 現行
Test method for measuring oxygen,carbon,boron and phosphorus in solar silicon wafers and feedstock—Secondary ion mass spectrometry
標準號：GB/T 32281-2015
基本信息
標準號：GB/T 32281-2015
發布時間：2015-12-10
實施時間：2017-01-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：薛抗美、夏根平、肖宗杰、盛之林、范占軍、蔣建國、林清香、徐自亮、王澤林、宋高杰、劉國霞
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬及半導體材料分析方法
ICS分類：金屬材料化學分析
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC 203/SC 2)
起草單位：江蘇協鑫硅材料科技發展有限公司、北京合能陽光新能源技術有限公司、中鋁寧夏能源集團有限公司、寧夏銀星多晶硅有限責任公司、洛陽鴻泰半導體有限公司、新特能源股份有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC 203/SC 2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會
標準簡介
本標準規定了太陽能級硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素體含量的二次離子質譜（SIMS）檢測方法。?本標準適用于檢測各元素體含量不隨深度變化、且不考慮補償的太陽能級單晶或多晶硅片或硅料中氧、碳、硼和磷元素的體含量。各元素體含量的檢測上限均為0.2%（即＜1×10??20? atoms/cm?3），檢測下限分別為氧含量≥5×10??16? atoms/cm?3、碳含量≥1×10??16? atoms/cm?3、硼含量≥1×10??14? atoms/cm?3和磷含量≥2×10??14? atoms/cm?3。四種元素體含量的測定可使用配有銫一次離子源的SIMS儀器一次完成。
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