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半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測試方法 現行

Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy

標準號：GB/T 17170-2015

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基本信息

標準號：GB/T 17170-2015
發布時間：2015-12-10
實施時間：2016-07-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：何秀坤、李靜、張雪囡
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬及半導體材料分析方法
ICS分類：金屬材料試驗
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料(SAC/TC203/SC2)
起草單位：信息產業專用材料質量監督檢驗中心、天津市環歐半導體材料技術有限公司、中國電子材料行業協會
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料(SAC/TC203/SC2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會

標準簡介

本標準規定了半絕緣砷化鎵單晶深施主 EL2濃度的紅外吸收測試方法。本標準適用于電阻率大于106 Ω·cm 的非摻雜和碳摻雜半絕緣砷化鎵單晶深施主 EL2濃度的測定。本標準不適用于摻鉻半絕緣砷化鎵單晶深施主 EL2濃度的測定。

標準摘要

本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規則起草。
本標準代替 GB/T17170—1997《非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級 EL2濃度紅外吸收測試方法》。
本標準與 GB/T17170—1997相比,主要有以下變化:
———修改了標準名稱;
———增加了“規范性引用文件”“術語和定義”“干擾因素”和“測試環境”等章;
———擴展了半絕緣砷化鎵單晶電阻率范圍,將電阻率大于107 Ω·cm 修改為大于106 Ω·cm;
———將范圍由“非摻雜半絕緣砷化鎵單晶”修改為“非摻雜和碳摻雜半絕緣砷化鎵單晶”;
———刪除了0.4mm~2mm 厚度測試樣品的解理制樣方法。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本標準起草單位:信息產業專用材料質量監督檢驗中心、天津市環歐半導體材料技術有限公司、中國電子材料行業協會。
本標準主要起草人:何秀坤、李靜、張雪囡。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
———GB/T17170—1997。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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