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用區熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的規程
用區熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的規程 現行
Practice for evaluation of granular polysilicon by melter-zoner and spectroscopies
標準號：GB/T 35309-2017
基本信息
標準號：GB/T 35309-2017
發布時間：2017-12-29
實施時間：2018-07-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：王桃霞、劉曉霞、耿全榮、魯文鋒、柳德發、胡偉、邱艷梅、銀波、由佰玲、秦榕、嚴大洲
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬及半導體材料分析方法
ICS分類：金屬材料試驗
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)
起草單位：江蘇中能硅業科技發展有限公司、新特能源股份有限公司、天津市環歐半導體材料技術有限公司、青海黃河上游水電開發有限責任公司新能源分公司、洛陽中硅高科技有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會
標準簡介
本標準規定了用區熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的代位碳原子濃度、施主雜質濃度和受主雜質濃度的方法。 本標準適用于尺寸在600μm～3000μm的顆粒狀多晶硅，其他尺寸的顆粒狀多晶硅可參照本標準執行。
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