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硅片切口尺寸測試方法 現行

Standard test method for dimensions of notches on silicon wafers

標準號：GB/T 26067-2010

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基本信息

標準號：GB/T 26067-2010
發布時間：2011-01-10
實施時間：2011-10-01
首發日期：2011-01-10
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：杜娟、孫燕、盧立延、樓春蘭
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬及半導體材料分析方法
ICS分類：半導體材料
起草單位：有研半導體材料股份有限公司、萬向硅峰電子股份有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)

標準簡介

本標準定性的提供了判定硅片基準切口是否滿足標準限度要求的非破壞性測試方法。本方法的測試原理同樣適用于其他切口尺寸的測量。本標準中物體平面尺寸為0.1mm 時,通過20倍的放大后會在投影屏上形成2.0mm 的影像,通過50倍放大后會產生5.0mm 的投影。本方法可以發現切口輪廓上的最小尺寸細節。本標準不提供切口頂端的曲率半徑的測試。

標準摘要

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)歸口。
本標準起草單位:有研半導體材料股份有限公司、萬向硅峰電子股份有限公司。
本標準主要起草人:杜娟、孫燕、盧立延、樓春蘭。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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