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標準編號 標準名稱 發(fā)布部門 發(fā)布日期 狀態(tài)
SJ 50033/75-1995 半導體分立器件 ３ＤＧ１３５型硅超高頻小功率晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033/76-1995 半導體分立器件 ３ＤＧ２１８型硅微波低噪聲晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033/77-1995 半導體分立器件 ３ＤＡ３３１型硅微波功率晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033/78-1995 半導體分立器件 ＣＳ０４６４型砷化鎵微波場效應晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033/79-1995 半導體分立器件 ＣＳ０５３６型砷化鎵微波功率場效應晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033/80-1995 半導體分立器件 ＣＳ０５１３型砷化鎵微波功率場效應晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033/81-1995 半導體分立器件 ＣＳ０５２４型砷化鎵微波功率場效應晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033/82-1995 半導體分立器件 ３ＤＫ１００型ＮＰＮ硅小功率開關晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033/83-1995 半導體分立器件 ＣＳ１３９型硅Ｐ溝道ＭＯＳ增強型場效應晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033/84-1995 半導體分立器件 ＣＳ１４０型硅Ｎ溝道ＭＯＳ耗盡型場效應晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033/85-1995 半導體分立器件 ＣＳ１４１型硅Ｎ溝道ＭＯＳ耗盡型場效應晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033/86-1995 半導體分立器件 ＣＳ５１１４～ＣＳ５１１６型硅Ｐ溝道耗盡型場效應晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033/87-1995 半導體分立器件 ＣＳ４０９１～ＣＳ４０９３型硅Ｎ溝道耗盡型場效應晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033/88-1995 半導體分立器件 ＣＳ６７６０和ＣＳ６７６２型硅Ｎ溝道增強型場效應晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033/89-1995 半導體分立器件 ＣＳ６７６８和ＣＳ６７７０型硅Ｎ溝道增強型場效應晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033/90-1995 半導體分立器件 ３ＤＫ１０６型ＮＰＮ硅小功率開關晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033/91-1995 半導體分立器件 ３ＣＤ０３０型低頻大功率晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033/92-1995 半導體分立器件 ３ＣＤ１００型低頻大功率晶體管詳細規(guī)范 1995-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033.51-1994 半導體分立器件 ＣＳ０５５８型砷化鎵微波雙柵場效應晶體管詳細規(guī)范 中華人民共和國電子工.. 1994-12-01 現(xiàn)行
SJ 50033.52-1994 半導體分立器件 ＣＳ０５２９型砷化鎵微波功率場效應晶體管詳細規(guī)范 中華人民共和國電子工.. 1994-12-01 現(xiàn)行
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