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半導(dǎo)體分立器件 ＣＳ１３９型硅Ｐ溝道ＭＯＳ增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范 現(xiàn)行

Semiconductor discrete devices-Detail specification for Type CS139 silicon P-channel MOS enhancement mode field-effect transistor

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 50033/83-1995
發(fā)布時(shí)間：1995-05-25
實(shí)施時(shí)間：1995-12-01
首發(fā)日期：
起草人：
標(biāo)準(zhǔn)分類： 技術(shù)管理

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