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[SJ 50033/75-1995] 半導體分立器件 ３ＤＧ１３５型硅超高頻小功率晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033/76-1995] 半導體分立器件 ３ＤＧ２１８型硅微波低噪聲晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033/77-1995] 半導體分立器件 ３ＤＡ３３１型硅微波功率晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033/78-1995] 半導體分立器件 ＣＳ０４６４型砷化鎵微波場效應晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033/79-1995] 半導體分立器件 ＣＳ０５３６型砷化鎵微波功率場效應晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033/80-1995] 半導體分立器件 ＣＳ０５１３型砷化鎵微波功率場效應晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033/81-1995] 半導體分立器件 ＣＳ０５２４型砷化鎵微波功率場效應晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033/82-1995] 半導體分立器件 ３ＤＫ１００型ＮＰＮ硅小功率開關晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033/83-1995] 半導體分立器件 ＣＳ１３９型硅Ｐ溝道ＭＯＳ增強型場效應晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033/84-1995] 半導體分立器件 ＣＳ１４０型硅Ｎ溝道ＭＯＳ耗盡型場效應晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033/85-1995] 半導體分立器件 ＣＳ１４１型硅Ｎ溝道ＭＯＳ耗盡型場效應晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033/86-1995] 半導體分立器件 ＣＳ５１１４～ＣＳ５１１６型硅Ｐ溝道耗盡型場效應晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033/87-1995] 半導體分立器件 ＣＳ４０９１～ＣＳ４０９３型硅Ｎ溝道耗盡型場效應晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033/88-1995] 半導體分立器件 ＣＳ６７６０和ＣＳ６７６２型硅Ｎ溝道增強型場效應晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033/89-1995] 半導體分立器件 ＣＳ６７６８和ＣＳ６７７０型硅Ｎ溝道增強型場效應晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033/90-1995] 半導體分立器件 ３ＤＫ１０６型ＮＰＮ硅小功率開關晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033/91-1995] 半導體分立器件 ３ＣＤ０３０型低頻大功率晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033/92-1995] 半導體分立器件 ３ＣＤ１００型低頻大功率晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1995-05-25 實施時間：1995-12-01

[SJ 50033.51-1994] 半導體分立器件 ＣＳ０５５８型砷化鎵微波雙柵場效應晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1994-09-30 實施時間：1994-12-01

本規范規定了ＣＳ０５５８型砷化鎵微波雙柵場效應晶體管（以下簡稱器件）的詳細要求。本規范適用于器件的研..

[SJ 50033.52-1994] 半導體分立器件 ＣＳ０５２９型砷化鎵微波功率場效應晶體管詳細規范[現行]

發布時間：1994-09-30 實施時間：1994-12-01

本規范規定了ＣＳ０５２９型砷化鎵微波功率場效應（以下簡稱器件）的詳細要求。本規范適用于器件的研制、生..
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