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[SJ 50033/157-2002] 半導體分立器件 3DA506型硅微波脈沖功率晶體管詳細規范[現行]
發布時間：2002-10-30
實施時間：2003-03-01
本規范規定了3DA506型硅微波脈沖功率晶體管的詳細要求。本規范適用于器件的研制、生產和采購。
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[SJ 50033/158-2002] 半導體分立器件 3DG44型硅超高頻低噪聲晶體管詳細規范[現行]
發布時間：2002-10-30
實施時間：2003-03-01
本規范規定了3DG44型硅超高頻低噪聲晶體管的詳細要求。本規范適用于器件的研制、生產和采購。
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[SJ 50033/159-2002] 半導體分立器件 3DG142型硅超高頻低噪聲晶體管詳細規范[現行]
發布時間：2002-10-30
實施時間：2003-03-01
本規范規定了3DG142型硅超高頻低噪聲晶體管的詳細要求。本規范適用于器件的研制、生產和采購。
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[SJ 50033/160-2002] 半導體分立器件 3DG122型硅超高頻小功率晶體管詳細規范[現行]
發布時間：2002-10-30
實施時間：2003-03-01
本規范規定了33DG122型硅超高頻小功率晶體管的詳細要求。本規范適用于器件的研制、生產和采購。
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發布時間：2002-07-01
實施時間：2002-07-01
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[SJ 1602-1980] 硅雙基極二極管測試方法總則[已作廢]
發布時間：2002-05-01
實施時間：2002-05-01
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[SJ 1603-1980] 硅雙基極二極管基極間電阻的測試方法[已作廢]
發布時間：2002-05-01
實施時間：2002-05-01
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[SJ 1604-1980] 硅雙基極二極管發射極與第一基極間反向電流的測試方法[已作廢]
發布時間：2002-05-01
實施時間：2002-05-01
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[SJ 1605-1980] 硅雙基極二極管飽和壓降的測試方法[已作廢]
發布時間：2002-05-01
實施時間：2002-05-01
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[SJ 1606-1980] 硅雙基極管峰點電流的測試方法[已作廢]
發布時間：2002-05-01
實施時間：2002-05-01
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[SJ 1607-1980] 硅雙基極二極管調制電流的測試方法[已作廢]
發布時間：2002-05-01
實施時間：2002-05-01
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[SJ 1608-1980] 硅雙基極二極管各點電壓和各點電流的測試方法[已作廢]
發布時間：2002-05-01
實施時間：2002-05-01
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[SJ 1609-1980] 硅雙基極二極管分壓比的測試方法[已作廢]
發布時間：2002-05-01
實施時間：2002-05-01
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[GB/T 12560-1999] 半導體器件 分立器件分規范[現行]
發布時間：1999-08-02
實施時間：2000-03-01
本規范適用于除光電子器件之外的半導體分立器件。
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[GB/T 17573-1998] 半導體器件 分立器件和集成電路 第1部分:總則[現行]
發布時間：1998-01-01
實施時間：1999-06-01
內容詳見本標準。
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[GB/T 15651-1995] 半導體器件 分立器件和集成電路 第5部分:光電子器件[現行]
發布時間：1995-07-24
實施時間：1996-04-01
本標準給出了下列類型和分類型器件的標準：·半導體光發射器件，包括：——發光二極管(LEDs)；——紅..
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[GB/T 4937-1995] 半導體器件機械和氣候試驗方法[已作廢]
發布時間：1995-01-02
實施時間：1996-08-01
本標準列出了適用于半導體器件(分立器件和集成電路)的試驗方法。使用時可從中進行選擇。對于非空腔器件，..
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[QJ 2567-1993] 3DK50型NPN硅功率開關晶體管詳細規范[已作廢]
發布時間：1993-03-30
實施時間：1993-12-01
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[QJ 2192.1-1991] 半導體光電器件篩選技術條件[已作廢]
發布時間：1991-02-18
實施時間：1991-10-28
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[GB 12560-1990] 半導體器件 分立器件分規范 (可供認證用)[已作廢]
發布時間：1990-12-06
實施時間：1991-10-01
本規范適用于除光電子器件之外的半導體分立器件。
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