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發(fā)布時間：2018-03-15
實(shí)施時間：2018-10-01
規(guī)定了石英晶體元件的優(yōu)值M大于4時，標(biāo)稱負(fù)載電容CL對應(yīng)的石英晶體元件負(fù)載諧振頻率fL以及標(biāo)稱頻率時..
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[GB/T 22319.9-2018] 石英晶體元件參數(shù)的測量 第9部分：石英晶體元件寄生諧振的測量[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2018-03-15
實(shí)施時間：2018-10-01
規(guī)定了石英晶體元件寄生（無用）諧振的二種測量方法
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[GB/T 12273.1-2017] 有質(zhì)量評定的石英晶體元件 第1部分:總規(guī)范[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2017-05-31
實(shí)施時間：2017-12-01
本部分規(guī)定了采用能力批準(zhǔn)程序或鑒定批準(zhǔn)程序評定質(zhì)量的石英晶體元件的試驗(yàn)方法和通用要求。
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[GB/T 32988-2016] 人造石英光學(xué)低通濾波器晶片[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2016-10-13
實(shí)施時間：2017-09-01
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了人造石英光學(xué)低通濾波器晶片術(shù)語和定義、分級、要求、測試方法、檢驗(yàn)規(guī)則及包裝、標(biāo)識、交貨條..
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[GB/T 15156-2015] 壓電陶瓷換能元件總規(guī)范[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2015-06-02
實(shí)施時間：2016-02-01
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了壓電陶瓷換能元件(以下簡稱換能元件)的通用要求、試驗(yàn)方法和檢驗(yàn)規(guī)則。本標(biāo)準(zhǔn)適用于各類壓電..
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[GB/T 22319.7-2015] 石英晶體元件參數(shù)的測量 第7部分：石英晶體元件活性跳變的測量[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2015-06-02
實(shí)施時間：2016-02-01
GB/T22319的本部分規(guī)定了在溫度范圍內(nèi)石英晶體元件活性跳變的測量方法。
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[GB/T 30118-2013] 聲表面波（SAW）器件用單晶晶片規(guī)范與測量方法[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2013-12-17
實(shí)施時間：2014-05-15
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了人造石英、鈮酸鋰(LN)、鉭酸鋰(LT)、四硼酸鋰(LBO)和硅酸鎵鑭(LGS)等單晶晶..
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[GB/T 11297.12-2012] 光學(xué)晶體消光比的測量方法[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2012-12-31
實(shí)施時間：2013-06-01
GB/T11297的本部分規(guī)定了采用波長為632.8nm 的光波沿單軸光學(xué)晶體光軸方向消光比的測量方..
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[JC/T 2132-2012] 鈦酸鍶鋇中摻雜元素和微量元素含量的測定 -電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2012-12-28
實(shí)施時間：2013-06-01
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜（ICP-AES）法測定鈦酸鍶鋇中摻雜元素和微量元素含量..
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[JC/T 2148-2012] 硅酸鎵鑭壓電晶體[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2012-12-28
實(shí)施時間：2013-06-01
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅酸鎵鑭壓電晶體的術(shù)語和定義、分類與標(biāo)記、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸..
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[GB/T 12273.501-2012] 石英晶體元件 電子元器件質(zhì)量評定體系規(guī)范 第5.1部分：空白詳細(xì)規(guī)范 鑒定批準(zhǔn)[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2012-11-05
實(shí)施時間：2013-02-15
優(yōu)先額定值見GB/T12273—1996的2.3。———工作溫度范圍;———電路條件;———最大激勵..
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[GB/T 12274.1-2012] 有質(zhì)量評定的石英晶體振蕩器 第1部分：總規(guī)范[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2012-11-05
實(shí)施時間：2013-02-15
GB/T 12274的本部分規(guī)定了采用能力批準(zhǔn)程序或鑒定批準(zhǔn)程序評定質(zhì)量的石英晶體振蕩器的試驗(yàn)方法和..
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[GB/T 12859.1-2012] 電子元器件質(zhì)量評定體系規(guī)范 壓電陶瓷諧振器 第1部分：總規(guī)范-鑒定批準(zhǔn)[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2012-11-05
實(shí)施時間：2013-02-15
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[GB/T 12859.2-2012] 電子元器件質(zhì)量評定體系規(guī)范 壓電陶瓷諧振器 第2部分：分規(guī)范-鑒定批準(zhǔn)[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2012-11-05
實(shí)施時間：2013-02-15
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[GB/T 12859.201-2012] 電子元器件質(zhì)量評定體系規(guī)范 壓電陶瓷諧振器 第2-1部分：空白詳細(xì)規(guī)范-評定水平E[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2012-11-05
實(shí)施時間：2013-02-15
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[GB/T 3352-2012] 人造石英晶體 規(guī)范與使用指南[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2012-11-05
實(shí)施時間：2013-02-15
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了頻率控制和選擇壓電元件用人造石英晶體原晶和制材的術(shù)語和定義、技術(shù)要求、測量方法、檢驗(yàn)規(guī)則..
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[GB/T 9532-2012] 壓電單晶材料型號命名方法[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2012-11-05
實(shí)施時間：2013-02-15
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[GB/T 27700.1-2011] 有質(zhì)量評定的聲表面波（SAW）濾波器 第1部分：總規(guī)范[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2011-12-30
實(shí)施時間：2012-05-01
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用于能力批準(zhǔn)程序或鑒定批準(zhǔn)程序有質(zhì)量評定的聲表面波濾波器的試驗(yàn)方法和通用性要求。
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[GB/T 27700.2-2011] 有質(zhì)量評定的聲表面波（SAW）濾波器 第2部分：使用指南[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2011-12-30
實(shí)施時間：2012-05-01
本部分規(guī)定的聲表面波濾波器廣泛應(yīng)用于電視,衛(wèi)星通訊,光纖通訊和移動通訊等領(lǐng)域。由于這些聲表面波濾波器..
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[JC/T 2025-2010] 鈮鎂鈦酸鉛（PMNT）壓電單晶材料[現(xiàn)行]
發(fā)布時間：2010-11-22
實(shí)施時間：2011-03-01
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了鈮鎂鈦酸鉛壓電單晶材料的術(shù)語和定義，產(chǎn)品分類和標(biāo)記，技術(shù)要求，試驗(yàn)方法，檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)識..
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