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聲表面波（SAW）器件用單晶晶片規范與測量方法 現行

Single crystal wafers for surface acoustic wave(SAW) device applications—Specifications and measuring methods

標準號：GB/T 30118-2013

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基本信息

標準號：GB/T 30118-2013
發布時間：2013-12-17
實施時間：2014-05-15
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：張小梅、蔣春健、吳兆剛、吳劍波、趙雄章、周洋舟
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 石英晶體、壓電元件
ICS分類：壓電器件和介質器件
提出單位：中華人民共和國工業和信息化部
起草單位：中國電子科技集團第二十六研究所、中國電子科技集團德清華瑩電子有限公司、北京石晶光電科技有限公司
歸口單位：全國頻率控制和選擇用壓電器件標準化技術委員會(SAC/TC 182)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國頻率控制和選擇用壓電器件標準化技術委員會(SAC/TC 182)

標準簡介

本標準規定了人造石英、鈮酸鋰(LN)、鉭酸鋰(LT)、四硼酸鋰(LBO)和硅酸鎵鑭(LGS)等單晶晶片等。本標準適用于人造石英、鈮酸鋰(LN)、鉭酸鋰(LT)、四硼酸鋰(LBO)和硅酸鎵鑭(LGS)等單晶晶片。這些單晶晶片用作聲表面波(SAW)濾波器和諧振器等基片材料。

標準摘要

本標準按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。
本標準使用翻譯法修改采用IEC62276:2005《聲表面波(SAW)器件用單晶晶片規范與測量方法》。
本標準在采用國際標準時進行了修改。這些技術性差異用垂直單線標識在它們所涉及的條款的頁邊空白處。在附錄C中給出了技術性差異及其原因的一覽表以供參考。
本標準還作了下列編輯性修改:
———刪除了IEC標準前言。
———在引用標準中,用GB/T3505《產品幾何技術規范(GPS) 表面結構 輪廓法 術語、定義及表面結構參數》代替ISO4287;用GB/T2828.1《計數抽樣檢驗程序 第1部分:按接收質量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃》代替IEC60410;用GB/T3352《人造石英晶體 規范與使用指南》代替IEC60758;此外,還增加了GB/T6618《硅片厚度和總厚度變化測試方法》。
———在圖1中原文把第二基準面與基準面畫成一樣,是不正確的,產品加工中第二基準面應比基準面短,以便區分。
本標準由中華人民共和國工業和信息化部提出。
本標準由全國頻率控制和選擇用壓電器件標準化技術委員會(SAC/TC182)歸口。
本標準起草單位:中國電子科技集團第二十六研究所、中國電子科技集團德清華瑩電子有限公司、北京石晶光電科技有限公司。
本標準主要起草人:張小梅、蔣春健、吳兆剛、吳劍波、趙雄章、周洋舟。

標準目錄

前言 Ⅲ
1 范圍 1
2 規范性引用文件 1
3 術語和定義 1
4 技術要求 6
4.1 材料 6
4.2 晶片 6
5 抽樣 10
5.1 概述 10
5.2 抽樣 10
5.3 抽樣方案 10
5.4 全數檢驗 10
6 檢驗方法 10
6.1 直徑 10
6.2 厚度 11
6.3 OF長度 11
6.4 OF方向 11
6.5 TV5 11
6.6 翹曲度 11
6.7 TTV 11
6.8 晶片正面缺陷 11
6.9 包裹體 11
6.10 背面粗糙度 11
6.11 晶片方向 11
6.12 居里溫度 11
6.13 晶格常數 11
7 包裝、標簽和標識、交貨條件 12
7.1 包裝 12
7.2 標簽和標識 12
7.3 交貨條件 12
8 居里溫度的測量 12
8.1 概述 12
8.2 DTA 測量方法 12
8.3 介電常數方法 13
9 晶格常數的測量(Bond方法) 13
10 用X-射線(定向儀)測量晶面角度(定向)的方法 14
10.1 測量原理 14
10.2 測量方法 15
10.3 晶片取向的測量 15
10.4 OF方向的測量 15
10.5 典型的晶片切型和參考平面 15
11 晶片正面檢查方法 16
附錄A (規范性附錄) 壓電單晶的歐拉角表示法 17
附錄B(資料性附錄) SAW 晶片制作工藝 20
附錄C (資料性附錄) 本標準與IEC62276:2005的技術性差異及其原因 26

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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