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[SJ/T 10354-1993] 電子器件詳細規(guī)范 ＷＨＥ１２１型低功率電位器 評定水平Ｅ[修訂]
發(fā)布時間：1993-03-25
實施時間：1993-10-01
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[SJ/T 10355-1993] 電子器件詳細規(guī)范 ＷＨＨ０８１（１２１、１４１）型組合頻道預調電位器 評定水平Ｅ[廢止]
發(fā)布時間：1993-03-25
實施時間：1993-10-01
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[SJ/T 10399-1993] ７７５機載多普勒導航系統[已廢止]
發(fā)布時間：1993-03-25
實施時間：1993-10-01
本標準規(guī)定了775機載多普勒導航系統（以下簡稱775系統）的組成、外形尺寸、質量、技術要求、試驗方法..
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[NY 220-1992] 農業(yè)科學技術檔案案卷構成規(guī)范[現行]
發(fā)布時間：1993-01-14
實施時間：1993-06-01
本規(guī)范規(guī)定了農業(yè)科技檔案案卷的組卷，卷內文件排列、編目、卷皮規(guī)格及其制成材料的質量要求。本規(guī)范適用于..
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[SJ 20061-1992] 半導體分立器件 ＣＳ１４６型硅Ｎ溝道耗盡型場效應晶體管詳細規(guī)范[現行]
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
本規(guī)范規(guī)定了CS146型硅Ｎ溝道結型場效應晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求，該種器件按GJB33《半..
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[SJ 20062-1992] 半導體分立器件 ３ＤＧ２１０型ＮＰＮ硅超高頻低噪聲差分對晶體管詳細規(guī)范[現行]
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
本規(guī)范規(guī)定了3DG210型NPN硅超高頻低噪聲差對晶體管（以下簡稱器件）的詳細要求，該種器件按ＧＪB..
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[SJ 20063-1992] 半導體分立器件 ３ＤＧ２１３型ＮＰＮ硅超高頻低噪聲雙差分對晶體管詳細規(guī)范[現行]
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
本規(guī)范規(guī)定了3DG218型NPN硅超高頻低噪聲雙差分對晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求.該種器件按G..
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[SJ 20064-1992] 半導體分立器件 ＱＬ７１型硅單相橋式整流器詳細規(guī)范[現行]
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
本規(guī)范規(guī)定了電源設備用的QL71型硅單相橋式整流器(以下簡稱器件)的詳細要求.該種器件按GJB33《..
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[SJ 20065-1992] 半導體分立器件 ＱＬ７２型硅三相橋式整流器詳細規(guī)范[現行]
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
本規(guī)范規(guī)定了電源設備用的ＱL72型硅三相橋式整流器(以下筒稱器件)的詳細要求.該種器件按GD33《半..
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[SJ 20066-1992] 半導體分立器件 ２ＣＬ３型硅高壓整流堆詳細規(guī)范[現行]
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
本規(guī)范規(guī)定了2CL3型硅高壓整流堆(以下簡稱器件)的詳細要求.該種器件按ＧＪＢ３３《半導體分立器件總..
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[SJ 20067-1992] 半導體分立器件 ２ＣＺ３０型硅整流二極管詳細規(guī)范[現行]
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
本規(guī)范規(guī)定了2CZ30型硅整流二極管（以下簡稱器件）的詳細要求.該種看件按GJB33《半導體分立器件..
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[SJ 20068-1992] 半導體分立器件 ２ＤＷ１４～１８型低噪聲硅電壓基準二極管詳細規(guī)范[現行]
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
本規(guī)范規(guī)定了2DWl4~l8型低噪聲低硅電壓基準二極管（以下簡稱器件）的詳細要求，該種器件按GJB3..
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[SJ 20069-1992] 半導體分立器件 ２ＣＫ７６型硅開關二極管詳細規(guī)范[現行]
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
本規(guī)范規(guī)定了2CK76型硅開關二極管(以下簡稱器件)的詳細要求，該種器件按GＪB33《半導體分立器件..
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[SJ 20070-1992] 半導體分立器件 ２ＣＫ１０５型硅開關二極管詳細規(guī)范[現行]
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
本規(guī)范規(guī)定了2CK105型硅開關二極管(以下簡稱器件)的詳細要求，該種器件按GＪB33《半導體分立器..
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[SJ 20071-1992] 半導體分立器件 ２ＣＫ４１４８型硅開關二極管詳細規(guī)范[現行]
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
本規(guī)范規(guī)定了2CK4l48型硅開關二極管(以下簡稱器件)的詳細要求，該種器件按GJB33《半導體分立..
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[SJ 20072-1992] 半導體分立器件 ＧＨ２４、ＧＨ２５和ＧＨ２６型半導體光耦合器詳細規(guī)范[現行]
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
本規(guī)范規(guī)定了陶瓷封裝的GH24、GH2s和GH26型半導體光耦合器詳細要求。該種器件按GJB3《半導..
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[SJ 20077-1992] 微電路應用熱設計指南[現行]
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
本標準提供了微電路應用的熱設計要求、方法和熱性能評價。本標準適用于微電路應用的熱設計。
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[SJ 20078-1992] 液晶顯示器件總規(guī)范[現行]
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
本規(guī)范規(guī)定了軍用液晶顯示器件（以下簡稱顯示器件）的一般要求，具體要求和特性在相應軍用詳細規(guī)范(以下簡..
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[SJ 20079-1992] 金屬氧化物半導體氣敏件試驗方法[現行]
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
本標準規(guī)定了軍用金屬氧化物半導體氣敏件的環(huán)境試驗方法、電負荷試驗方法和其它試驗方法。本標準沒有規(guī)定試..
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[SJ 20080-1992] ＲＭＫ２０１２型有可靠性指標的膜式片狀固定電阻器詳細規(guī)范[已作廢]
發(fā)布時間：1992-11-19
實施時間：1993-05-01
本規(guī)范規(guī)定了RMK20l2型有可靠性指標的膜式片狀固定電阻器的詳細要求。本規(guī)范適用于RＭK20l2型..
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