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半導(dǎo)體分立器件３ＤＧ２１０型ＮＰＮ硅超高頻低噪聲差分對晶體管詳細(xì)規(guī)范現(xiàn)行

Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon NPN ultra-high frequency low-noise difference match transistor of Type 3DG210

標(biāo)準(zhǔn)號：SJ 20062-1992

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：SJ 20062-1992

發(fā)布時間：1992-11-19

實(shí)施時間：1993-05-01

首發(fā)日期：

出版單位：電子工業(yè)出版社查看詳情>

起草人：王長福、黃世杰、李紅

出版機(jī)構(gòu)：電子工業(yè)出版社

標(biāo)準(zhǔn)分類：技術(shù)管理

提出單位：中國電子工業(yè)總公司科技質(zhì)量局

起草單位：中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所和國營八七一廠

歸口單位：中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所

發(fā)布部門：中國電子工業(yè)總公司

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本規(guī)范規(guī)定了3DG210型NPN硅超高頻低噪聲差對晶體管（以下簡稱器件）的詳細(xì)要求，該種器件按ＧＪB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個等級(GP、GT和GCT級).

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