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[JB/T 9488-1999] 儀表用軸座[已作廢]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了儀表用軸座的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝和貯存。本標(biāo)準(zhǔn)適用于儀表活..

[JB/T 9493.1-1999] 錳銅和新康銅電阻合金化學(xué)分析方法 電解重量法測(cè)定銅量[修訂]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

本標(biāo)準(zhǔn)適用于錳銅和新康銅電阻合金中釣量的側(cè)定。側(cè)定范圍:80.00%～92.00%。

[JB/T 9493.2-1999] 錳銅和新康銅電阻合金化學(xué)分析方法 硝酸銨氧化-硫酸亞鐵銨滴定法測(cè)定錳量[修訂]

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本標(biāo)準(zhǔn)適用于錳銅和新康銅電阻合金中錳蟹的測(cè)定。測(cè)定范圍:8.00%～14.00%。

[JB/T 9493.3-1999] 錳銅和新康銅電阻合金化學(xué)分析方法 丁二酮肟重量法測(cè)定鎳量[修訂]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

本標(biāo)準(zhǔn)適用于錳銅電阻合金中鎳盤的測(cè)定。測(cè)定范圍:2.00%～6.00%。

[JB/T 9493.4-1999] 錳銅和新康銅電阻合金化學(xué)分析方法 磺基水楊酸光度法測(cè)定鐵量[修訂]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

本標(biāo)準(zhǔn)適用于錳銅和新康銅電阻合金中鐵盤的測(cè)定。測(cè)定范圍:0.100%～2.00%。

[JB/T 9493.5-1999] 錳銅和新康銅電阻合金化學(xué)分析方法 硅鉬蘭光度法測(cè)定硅量[修訂]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

本標(biāo)準(zhǔn)適用于錳銅電阻合金中硅>t的測(cè)定。側(cè)定范圍:0.050%～0.300%。

[JB/T 9493.6-1999] 錳銅和新康銅電阻合金化學(xué)分析方法 高氯酸脫水重量法測(cè)定硅量[修訂]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

本標(biāo)準(zhǔn)適用于錳銅電阻合金中硅量的側(cè)定。測(cè)定范圍;1.00%～2.00%。

[JB/T 9493.7-1999] 錳銅和新康銅電阻合金化學(xué)分析方法 苯甲酸銨分離-EDTA滴定法測(cè)定鋁量[修訂]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

本標(biāo)準(zhǔn)適用于新康銅電阻合金中鋁最的測(cè)定。測(cè)定范圍:2.00%～5.00%。

[JB/T 9494-1999] 聚酯漆包圓電阻線[已作廢]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

本標(biāo)準(zhǔn)適用于制造溫度指數(shù)為155的聚酯漆包圓電阻線（以下簡(jiǎn)稱漆包阻線）。

[JB/T 9495.1-1999] 光學(xué)晶體[已作廢]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

本標(biāo)準(zhǔn)適用于制作透射、折射、反射光學(xué)元件的直徑不大于200mm的人工光學(xué)晶體。

[JB/T 9495.2-1999] 光學(xué)晶體折射率 測(cè)量方法[修訂]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

本標(biāo)準(zhǔn)適用于利用V梭鏡方法測(cè)I光學(xué)晶體的折射率。測(cè)量譜線為d,D,C,F,r,e,g,h八種譜線，測(cè)..

[JB/T 9495.3-1999] 光學(xué)晶體透過(guò)率 測(cè)量方法[修訂]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

本標(biāo)準(zhǔn)適用于利用分光光度計(jì)測(cè)量光學(xué)晶體的透過(guò)率。畫(huà)出透過(guò)率曲線，并給出0.2和0.5透過(guò)率數(shù)值。

[JB/T 9495.4-1999] 光學(xué)晶體應(yīng)力雙折射 測(cè)量方法[修訂]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

本標(biāo)準(zhǔn)適用于立方晶體的應(yīng)力雙折射側(cè)量，包括定性、定量?jī)煞N測(cè)量方法。

[JB/T 9495.5-1999] 光學(xué)晶體散射顆粒度 測(cè)量方法[修訂]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

本標(biāo)準(zhǔn)適用于光學(xué)晶體散射顆粒的定性測(cè)量。

[JB/T 9495.6-1999] 光學(xué)晶體光吸收系數(shù) 測(cè)量方法[修訂]

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本方法適用于光學(xué)晶體白光吸收系數(shù)的MR.精度為±: 0.0005,

[JB/T 9495.7-1999] 光學(xué)晶體光學(xué)均勻性 測(cè)量方法[修訂]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑不大于2000.的光學(xué)晶體光學(xué)均勻性的mit ,側(cè)盆折射率微差的精度為:△7＝±1×..

[JB/T 9496-1999] 鎢錸熱電偶用補(bǔ)償導(dǎo)線[已作廢]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

[JB/T 9498-1999] 包覆絕緣圓電阻線[已作廢]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

本標(biāo)準(zhǔn)適用于制造用蠶絲或浸潰無(wú)堿玻璃絲包覆絕緣的聚酯漆包或未漆包的圓電阻合金線（以下簡(jiǎn)稱絲包電阻線）..

[JB/T 9499.1-1999] 康銅電阻合金化學(xué)分析方法 電解重量法測(cè)定銅量[修訂]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

本標(biāo)準(zhǔn)適用于康銅電阻合金中銅量的測(cè)定。測(cè)定范圍:54.00%一62.00% 。

[JB/T 9499.2-1999] 康銅電阻合金化學(xué)分析方法 碘化鉀-硫代硫酸鈉滴定法測(cè)定銅量[修訂]

發(fā)布時(shí)間：1999-08-06 實(shí)施時(shí)間：2000-01-01

本標(biāo)準(zhǔn)適用于康銅電阻合金中銅量的測(cè)定:測(cè)定范圍:54.00%～62.00%。
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